[发明专利]MIM电容的制造方法在审
| 申请号： | 202011289254.1 | 申请日： | 2020-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN112397386A | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 马莉娜;孟艳秋;熊磊 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L23/522;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种MIM电容的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底表面形成第一金属层，所述第一金属层用于形成MIM电容的下极板；
在所述第一金属层的表面形成电介质层；
在所述电介质层的表面形成第二金属层，所述第二金属层用于形成MIM电容的上极板；
刻蚀所述第二金属层、所述电介质层、所述第一金属层，形成MIM电容；
其中，在所述第一金属层和所述第二金属层的刻蚀过程中，刻蚀气体包括氯基气体或氟基气体、CH4；所述第一金属层和所述第二金属层的材料为氮化钽。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀所述第二金属层、所述电介质层、所述第一金属层，形成MIM电容，包括：
在所述第一金属层的表面形成硬掩膜层；
通过光刻工艺在所述硬掩膜层的表面形成MIM电容图案；
根据所述MIM电容图案，刻蚀所述硬掩膜层；
根据所述MIM电容图案依次刻蚀所述第二金属层、所述电介质层、所述第一金属层，形成MIM电容。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅层。
4.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述电介质层为氮化硅层。
5.根据权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述MIM电容的制造方法集成在金属互连工艺中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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