[发明专利]有机彩色图像传感器的制备方法及彩色图像传感器在审

专利信息
申请号: 202011287520.7 申请日: 2020-11-17
公开(公告)号: CN112420769A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 贾明理;晋芳铭;郭建利 申请(专利权)人: 运城学院
主分类号: H01L27/30 分类号: H01L27/30;H01L51/44;H04N5/378;H04N9/04
代理公司: 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 代理人: 林淡如
地址: 044099 *** 国省代码: 山西;14
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摘要:
搜索关键词: 有机 彩色 图像传感器 制备 方法
【说明书】:

发明属于图像传感器技术领域,具体为一种有机彩色图像传感器的制备方法及彩色图像传感器,包括s1提供带有读出电路的硅基背板,s2硅基背板上制备像素阳极,s3制备像素定义层,s4制备全波段有机光电探测器,s5薄膜封装,s6制备光学组件,s7玻璃盖板贴合,s8模组工程等步骤。本发明提供了一种有机彩色图像传感器的原理性器件结构及其制备方法。

技术领域

本发明属于图像传感器技术领域,具体为一种有机彩色图像传感器的制备方法及彩色图像传感器。

背景技术

当今社会,随着科学技术的发展,电子信息学科不断取得突破,从高端科学领域到百姓日常生活,带动相关领域飞速发展。其中,图像传感器的研究引领着视觉成像进入了一个新时代。图像传感器广泛应用于数字相机、装备制造、摄像成像、医疗生物、农业农村等领域,这也就必然带来了其需求量的迅猛增长。相比于热探测器,光子探测器有较高的探测率,除最早的光电倍增管,基于硅、锗和III-V族化合物等半导体的光探测器现在已经发展的相当成熟。近些年来,光探测器的发展集成化,广泛应用于数字影像领域常见的感光元件电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物半导体芯片(CMOS)等光电器件中。与无机光探测器相比,有机光探测具备成本低,易于制备成柔性器件等优点,越来受到更多人的关注。

本发明的目的在于提供一种有机彩色图像传感器的制备方法和彩色图像传感器。

发明内容

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种有机彩色图像传感器的制备方法,包括以下步骤:

S1、提供一硅基背板,所述硅基背板上制作有图像传感器读出电路,所述读出电路用于将读出光电转换信号,并提供给显示器件,所述读出电路有三组,分别对应R像素区,G像素区和B像素区,所述硅基背板最上层为钨孔,所述钨孔按照与像素区对应设置的像素图形规则排列,并形成像素区与读出电路的导电连接通道,所述钨孔高出硅基背板高度10-20nm,;

S2、在硅基背板上制备像素阳极,并对像素阳极进行图案化,所述像素阳极的光反射率大于80%;

S3、在像素阳极层上制备像素定义层,并对所述像素定义层进行图案化,所述像素定义层为绝缘材料,可以采用无机SiN、SiO、SiNO或者PI中的一种;

S4、将完成S3步骤的硅基背板送入有机真空镀膜机中,通过openmask依次沉积有机光电探测器的各功能层,所述机光电探测器为全波段响应有机光电探测器,其响应范围至少覆盖380-760nm;

S5、对所述步骤S4中的背板进行薄膜封装;

S6、在所述步骤S5中的背板上制备光学组件,所述光学组件包括光路准直结构,所述光路准直结构上设置有滤光片,所述滤光片包括R像素区,G像素区和B像素区,分别与步骤S1的R像素区,G像素区和B像素区一一对应,其中R像素区滤光片过滤G和B波段入射光,G像素区滤光片过滤R和B波段入射光;B像素区滤光片过滤R和G波段入射光;所述光路准直结构包括微透镜阵列,所述光学组件还包括设置于所述滤光片和所述光路准直结构之间的透明光学胶层,所述透明光学胶层用于粘合所述滤光片和所述光路准直结构,所述光路准直结构用于对于R、G和B光进行光学准直;

S7、完成步骤S6后,在滤光片上进行玻璃盖板贴合,滤光片和玻璃盖板采用透明光学胶层连接;

S8、完成步骤S7后进行切割和绑定模组工程,完成图像传感器的制备。

进一步的,所述步骤S2中像素阳极的制备包括步骤:

T1、对硅基背板进行金属电极层镀膜,所述镀膜为在金属电极上依次制作Ti/Al//TiN/ITO四层;

T2、涂光刻胶,在所述金属电极层上涂覆光刻胶;

T3、曝光,将T2中涂覆有光刻胶的基片在曝光机上曝光;

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