[发明专利]显示装置在审
| 申请号: | 202011286040.9 | 申请日: | 2020-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN112838107A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
| 发明(设计)人: | 曹永振;文重守;金阳完;王淳祯 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李晓伟 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 | ||
提供了显示装置。该显示装置包括:基础衬底,包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域;第一电源线,位于非显示区域中,第一电源电压被施加到第一电源线;第二电源线,位于非显示区域中并且与第一电源线间隔开,第二电源电压被施加到第二电源线;以及坝,与第一电源线和第二电源线重叠,在第一电源线上具有第一高度,并且在第一电源线与第二电源线之间具有大于第一高度的第二高度。
技术领域
一些示例实施例的多个方面总体上涉及显示装置。
背景技术
近来,随着技术改进,已经生产出具有更小尺寸、更轻重量和优异性能的显示产品。阴极射线管(CRT)电视在性能和价格方面具有许多优势,已被广泛用于显示装置。然而,近来,与CRT显示器相比,诸如等离子体显示装置、液晶显示装置和有机发光二极管显示装置的显示装置,由于它们相对更小的厚度、更轻的重量和更低的功耗已变得被更频繁地使用。
显示装置可包括由薄膜封装层密封的内部结构,以及形成在薄膜封装层上的触摸屏面板。例如,有机发光二极管显示装置可具有薄膜封装层以及触摸屏面板直接形成在薄膜封装层上的结构。在这种情况下,薄膜封装层的质量可影响显示质量和触摸屏面板的质量。
在本背景技术部分中所公开的以上信息仅用于增强对背景的理解,并且因此,在本背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一些示例实施例的多个方面总体上涉及显示装置。例如,本发明构思的一些示例实施例涉及具有相对改善的显示质量的显示装置。
一些示例实施例的多个方面包括一种显示装置,该显示装置中形成有具有相对改善的质量的薄膜封装层,使得可改善显示质量和触摸屏面板层的质量。
根据一些示例实施例,显示装置可包括:基础衬底,包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域;第一电源线,位于非显示区域中,第一电源电压被施加到第一电源线;第二电源线,位于非显示区域中并且与第一电源线间隔开,第二电源电压被施加到第二电源线;以及坝,与第一电源线和第二电源线重叠,在第一电源线上具有第一高度,并且在第一电源线和第二电源线之间具有大于第一高度的第二高度。
根据一些示例实施例,坝可包括第一坝层和位于第一坝层上的第二坝层。另外,第一坝层可形成在第一电源线与第二电源线之间以及形成在第一电源线和第二电源线上。此外,第二坝层可形成在第一电源线与第二电源线之间。
根据一些示例实施例,坝的第二坝层的两端可与第一电源线和第二电源线重叠。
根据一些示例实施例,显示装置还可包括:像素限定层,位于基础衬底上以限定开口;发光层,位于开口中;以及薄膜封装层,位于发光层上。另外,坝的第一坝层可与像素限定层位于同一层上。
根据一些示例实施例,显示装置还可包括位于像素限定层上的间隔物。另外,坝的第二坝层可与间隔物位于同一层上。
根据一些示例实施例,显示装置还可包括位于第一电源线和第二电源线上的通孔绝缘层。另外,从基础衬底至通孔绝缘层的上表面的高度在第一电源线与第二电源线之间的区中可比在与第一电源线或第二电源线重叠的区中低。
根据一些示例实施例,第一电源线和第二电源线中的每个可包括至少两个导电层,并且绝缘层可介于导电层之间。
根据一些示例实施例,显示装置还可包括:第一无机层,位于坝上;有机层,位于第一无机层上;以及第二无机层,位于有机层上。
根据一些示例实施例,显示装置还可包括通孔绝缘层,通孔绝缘层具有形成在第一电源线与第二电源线之间的凹陷部分。
根据一些示例实施例,显示装置还可包括:薄膜晶体管层,位于基础衬底上并且包括薄膜晶体管;发光结构,电连接到薄膜晶体管;薄膜封装层,覆盖发光结构;以及触摸屏面板层,位于薄膜封装层上以检测用户的触摸输入。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





