[发明专利]基板处理方法及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种基板处理方法，其包括：

向腔室内提供含硅膜及在该含硅膜上具有掩模的基板的工序；以及

在所述腔室内由包含氟化氢气体的第1处理气体生成等离子体并对所述含硅膜进行蚀刻的工序，

所述氟化氢气体的流量相对于除了不活泼气体以外的所述第1处理气体的总流量为25体积％以上。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述氟化氢气体的流量相对于除了所述不活泼气体以外的所述第1处理气体的总流量小于80体积％。

3.根据权利要求1或2所述的基板处理方法，其中，所述第1处理气体包含选自含碳气体、含氧气体及含卤素气体中的至少一种。

4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，所述含碳气体包含选自氟碳化物气体、氢氟碳化物气体及氢碳化物气体中的至少一种。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的基板处理方法，其中，所述含硅膜为选自包含硅氧化膜及硅氮化膜的层叠膜、多晶硅膜、低介电常数膜以及包含硅氧化膜及多晶硅膜的层叠膜中的至少一种。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的基板处理方法，其中，所述掩模为含碳掩模或含金属掩模。

7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，所述含碳掩模由选自旋涂碳、碳化钨、非晶质碳及碳化硼中的至少一种形成。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的基板处理方法，其在所述蚀刻工序之前，还具备将载置有所述基板的静电卡盘的温度调整为0℃以下的工序。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的基板处理方法，其还包括在所述腔室内由第2处理气体生成等离子体并对所述腔室内进行清洁的工序。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，所述第2处理气体包含选自含氟气体、含氧气体、含氢气体及含氮气体中的至少一种。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的基板处理方法，其中，在提供所述基板的工序之前，还包括在所述腔室内由第3处理气体生成等离子体并在所述腔室的内壁上形成预涂膜的工序。

12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，所述第3处理气体包含含硅气体及含氧气体。

13.一种等离子体处理装置，其包括腔室、等离子体生成部以及控制部，所述腔室具有气体供给口及气体排出口，

所述控制部执行包括如下工序的处理，所述处理包括：

在所述腔室内配置具有含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模的基板的工序；以及

在所述腔室内由包含氟化氢气体的第1处理气体生成等离子体并对所述含硅膜进行蚀刻的工序，

在所述蚀刻工序中，以所述氟化氢气体的流量相对于除了不活泼气体以外的所述第1处理气体的总流量成为25体积％以上的方式进行控制。