[发明专利]贵金属纳米腔/二维材料复合结构及利用二氯甲烷包覆提高其强耦合劈裂能量的方法

权利要求书

1.一种贵金属纳米腔/二维材料复合结构，其特征在于：该复合结构包括依次排列的绝缘基底、金属膜、金属氧化物膜、二硫化钨膜以及银立方体。

2.如权利要求1所述的贵金属纳米腔/二维材料复合结构，其特征在于：所述绝缘基底具体为硅基底，所述金属膜包括依次排列的钛膜和银膜，所述金属氧化物膜具体为氧化铝膜。

3.如权利要求2所述的贵金属纳米腔/二维材料复合结构，其特征在于：钛膜的厚度为10nm，银膜的厚度为80nm，氧化铝膜的厚度为9nm，二硫化钨膜为单层WS₂，银立方体的厚度为65-75nm。

4.如权利要求2所述的贵金属纳米腔/二维材料复合结构，其特征在于：该贵金属纳米腔/二维材料复合结构的制备方法具体为：首先通过电子束蒸发的方法依次在硅基底上蒸镀相应厚度的钛膜、银膜，然后通过原子层沉积的方法在银膜表面沉积相应厚度的氧化铝膜，接着将单层二硫化钨膜干法转移至氧化铝膜表面，最后将银纳米立方体悬浮液滴涂在样品表面，静置后洗净即可。

5.如权利要求4所述的贵金属纳米腔/二维材料复合结构，其特征在于：钛膜、银膜的沉积速度分别为0.1-0.5nm/s、0.12-2nm/s；氧化铝膜沉积时的温度为80-120℃，压力为0.19-0.22torr。

6.利用二氯甲烷包覆提高权利要求1所述贵金属纳米腔/二维材料复合结构强耦合劈裂能量的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：将二氯甲烷滴加到贵金属纳米腔/二维材料复合结构表面，再盖上透光保护片测试即可。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：所述测试具体过程如下：(a)通过暗场散射的方法探测空气中单个贵金属纳米腔/二维材料复合结构的暗场散射光谱，得到双峰的散射光谱图；(b)测试不同银立方体尺寸所对应的散射谱，获得局域表面等离激元能量与二维材料激子能量差在一定范围调谐的数据；(c)以表面滴加了二氯甲烷并盖上盖玻片的贵金属纳米腔/二维材料复合结构为对象，重复步骤(a)和(b)；(d)通过软件拟合处理得到的光谱数据，计算空气和二氯甲烷氛围中强耦合劈裂能量。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：步骤(a)单颗粒暗场散射光谱的测试过程在室温条件下进行。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述软件为Origin，拟合处理公式基于耦合谐振子模型。