[发明专利]金属氧化物半导体MOS器件

说明书

本公开的实施例涉及金属氧化物半导体MOS器件。MOS器件包括第一、第二、第三和第四互连。第一互连(402)在第一方向上在第一轨道上延伸。第一互连被配置在金属层中。第二互连(404)在第一方向上在第一轨道上延伸。第二互连被配置在金属层中。第三互连(408)在第一方向上在第二轨道上延伸。第三互连被配置在金属层中。第二轨道平行于第一轨道。第三互连耦合到第二互连。第二和第三互连(404，408)被配置为提供第一信号(Clk)。第四互连(410)在第一方向上在第二轨道上延伸。第四互连被配置在金属层中。第四互连耦合到第一互连。第一和第四互连(402，410)被配置为提供不同于第一信号的第二信号(Clk)。

本申请是申请日为2016年3月31日、申请号为201680029651.0、发明名称为“用于单向M1的多高度顺序单元中的交叉耦合的时钟信号分发布局”的中国发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年5月27日提交的题为“用于单向M1的多高度顺序单元中的交叉耦合(CROSS-COUPLE IN MULTI-HEIGHT SEQUENTIAL CELLS FOR UNI-DIRECTIONAL M1)”的美国专利申请No.14/723,357的权益，其全部内容明确地通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及用于单向M1的多高度顺序单元中的交叉耦合结构。

背景技术

随着半导体器件以更小的尺寸被制造，半导体器件的制造商发现在单个芯片上集成更大量的器件变得更加困难。此外，现代处理技术关于半导体器件布局设计施加了更多的限制，这可能导致某些半导体布局设计在金属氧化物半导体(MOS)器件上消耗大量的面积。因此，需要改进半导体布局设计来克服这样的限制。

发明内容

在本公开的一方面，一种MOS器件包括第一、第二、第三和第四互连。第一互连在第一方向上在第一轨道上延伸。第一互连被配置在金属层中。第二互连在第一方向上在第一轨道上延伸。第二互连被配置在金属层中。第三互连在第一方向上在第二轨道上延伸。第三互连被配置在金属层中。第二轨道平行于第一轨道。第三互连耦合到第二互连。第二和第三互连被配置为提供第一信号。第四互连在第一方向上在第二轨道上延伸。第四互连被配置在金属层中。第四互连耦合到第一互连。第一和第四互连被配置为提供不同于第一信号的第二信号。

在本公开的一方面，在MOS器件中，第一信号被传播通过在第一方向上在第一轨道上延伸的第一互连。第一互连被配置在金属层中。此外，第二信号被传播通过在第一方向上在第一轨道上延伸的第二互连。第二互连被配置在金属层中。第二信号不同于第一信号。此外，第一信号被传播通过在第一方向上在第二轨道上延伸的第三互连。第三互连被配置在金属层中。第二轨道平行于第一轨道。第三互连耦合到第二互连。此外，第二信号被传播通过在第一方向上在第二轨道上延伸的第四互连。第四互连被配置在金属层中。第四互连耦合到第一互连。

附图说明

图1是示出多比特触发器盘的图。

图2是示出单比特触发器电路的图。

图3是MOS器件的示例性布局图的俯视图。

图4是根据本公开的各个方面的MOS器件的示例性布局图的俯视图。

图5是根据本公开的各个方面的MOS器件的示例性布局图的俯视图。

图6是示例性方法的流程图。

具体实施方式