[发明专利]像素驱动电路及LTPO显示面板有效
| 申请号: | 202011284186.X | 申请日: | 2020-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN112397029B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
| 发明(设计)人: | 蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225;G09G3/30 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 张晓薇 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 驱动 电路 ltpo 显示 面板 | ||
1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括驱动单元、数据写入单元、补偿单元、复位单元、调制单元和发光器件;
所述驱动单元的控制端连接第一节点,所述驱动单元的输入端通过第二节点接入恒压高电位,所述驱动单元的输出端连接第三节点;
所述数据写入单元的控制端连接第一扫描信号线,所述数据写入单元的输入端连接数据信号线,所述数据写入单元的输出端连接所述第二节点;
所述补偿单元的控制端连接第二扫描信号线,所述补偿单元的输入端连接所述第一节点,所述补偿单元的输出端连接所述第三节点;
所述复位单元的控制端连接复位信号线,所述复位单元的输入端连接参考信号线,所述复位单元的输出端连接所述第一节点;
所述发光器件的阳极连接所述第三节点,所述发光器件的阴极接入恒压低电位;
所述调制单元用于分别形成所述补偿单元的和所述复位单元中的薄膜晶体管的调制栅极,以及分别由每一所述调制栅极引出调制引线,所述调制引线用于引入调制电压施加到每一所述调制栅极上,以对所述复位单元中和所述补偿单元中的薄膜晶体管的阈值电压进行补偿;其中,所述调制引线连接调制信号线或者所述参考信号线,并通过所述调制信号线或所述参考信号线引入所述调制电压。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述调制电压的大小与所述阈值电压的漂移量成正比。
3.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路还包括第一发光控制单元和第二发光控制单元;所述第一发光控制单元的控制端和所述第二发光控制单元的控制端均分别连接发光信号线,所述第一发光控制单元的输入端接入所述恒压高电位,所述第一发光控制单元的输出端连接所述第二节点,所述第二发光控制单元的输入端连接所述第三节点,所述第二发光控制单元的输出端连接所述发光器件的阳极。
4.如权利要求3所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路还包括重置单元,所述重置单元的控制端连接第三扫描信号线,所述重置单元的输入端连接所述参考信号线,所述重置单元的输出端连接所述发光器件的阳极。
5.如权利要求4所述的像素驱动电路,其特征在于,所述像素驱动电路还包括储能电容,所述储能电容的第一端接入恒压高电位,所述储能电容的第二端连接所述第一节点。
6.如权利要求5所述的像素驱动电路,其特征在于,所述驱动单元包括第一薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一节点,所述第一薄膜晶体管的源极连接所述第二节点,所述第一薄膜晶体管的漏极连接第三节点;
所述数据写入单元包括第二薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管的源极连接所述第一扫描信号线,所述第二薄膜晶体管的源极连接所述数据信号线,所述第二薄膜晶体管的漏极连接所述第二节点;
所述补偿单元包括第三薄膜晶体管,所述第三薄膜晶体管的栅极连接所述第二扫描信号线,所述第三薄膜晶体管的调制栅极连接所述调制引线,所述第三薄膜晶体管的源极连接所述第一节点,所述第三薄膜晶体管的漏极连接所述第三节点;
所述复位单元包括第四薄膜晶体管,所述第四薄膜晶体管的栅极连接所述复位信号线,所述第四薄膜晶体管的调制栅极连接所述调制引线,所述第四薄膜晶体管的源极连接所述参考信号线,所述第四薄膜晶体管的漏极连接所述第一节点;
所述第一发光控制单元包括第五薄膜晶体管,所述第二发光控制单元包括第六薄膜晶体管,所述第五薄膜晶体管的栅极和所述第六薄膜晶体管的栅极连接所述发光信号线,所述第五薄膜晶体管的源极接入所述恒压高电位,所述第五薄膜晶体管的漏极连接所述第二节点,所述第六薄膜晶体管的源极连接所述第三节点,所述第六薄膜晶体管的漏极连接所述发光器件的阳极;
所述重置单元包括第七薄膜晶体管,所述第七薄膜晶体管的栅极连接所述第三扫描信号线,所述第七薄膜晶体管的源极连接所述参考信号线,所述第七薄膜晶体管的漏极连接所述发光器件的阳极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011284186.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





