[发明专利]具有高吞吐量的多反射质谱仪在审

专利信息
申请号: 202011284023.1 申请日: 2014-04-23
公开(公告)号: CN112420478A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: A·N·维伦切科夫;V·阿尔特艾娃 申请(专利权)人: 莱克公司
主分类号: H01J49/00 分类号: H01J49/00;H01J49/06;H01J49/40;G01N30/72
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 张荣海
地址: 美国密*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 吞吐量 反射 质谱仪
【权利要求书】:

1.一种相同的线性延伸四极离子阱的阵列,每个阱包括:

至少4个主电极,沿Z向延伸,从而至少在沿Z轴取向的中心线区域中形成四极场,其中所述Z轴或者笔直,或者以远大于所述电极之间的距离的半径弯曲;

在所述主电极中的至少一个中的离子喷射狭缝;所述狭缝沿所述Z向排列;

Z边缘电极,位于所述四极离子阱的Z边缘处,以在所述Z边缘处形成静电离子栓塞;所述Z边缘电极是主电极或环形电极的一段;

RF发生器,提供相反相位的RF信号,以至少在所述主电极的中心线区域中形成四极RF场;

可变DC电源,向所述四极离子阱的至少两个杆提供DC信号,以至少在所述主电极的中心线区域中形成具有较弱的双极DC场的四极DC场;

连接到所述Z边缘电极以提供轴向Z俘获的DC、RF或AC电源;

提供从1至100mTor范围中的气压的气体供给或泵送装置,其中所述可变DC电源具有使四极电位斜线变化从而导致与离子m/z成反向关系的经所述狭缝的相继离子喷射的装置,以及

其中每个阱还包括在四极阱的所述狭缝之后具有用于离子收集、迁移以及空间约束的DC梯度的宽口径RF通道;所述RF通道的尺寸由阱尺寸和拓扑以及气压限定。

2.按照权利要求1所述的相同的线性延伸四极离子阱的阵列,其中各个阱被排列以形成离子发射面,所述离子发射面或者是平面,或者至少部分地是柱面或部分地是球面,以便在所述宽口径RF通道中进行更高效的离子收集和迁移。

3.一种离子导向装置,包括:

沿Z轴延伸的电极;所述Z轴或者笔直,或者以远大于所述电极之间的距离的半径弯曲;

所述电极或者由填充碳的陶瓷电阻器或者由碳化硅或碳化硼制成,以形成比电阻在1与1000Ohm*cm之间的体电阻;

在每个电极上的导电Z边缘;

在每个电极的一侧的绝缘涂层;所述涂层远离由所述电极围绕的所述离子导向装置的内区域地取向;

附着在所述绝缘涂层的顶侧的每个电极的至少一个导电迹线;所述导电迹线连接到一个导电电极边缘;

RF发生器,具有至少两组次级线圈,DC电源连接到各组次级线圈的中央抽头;从而提供至少4个不同的信号DC1+sin(wt)、DC2+sin(wt)、DC1-sin(wt)和DC2-sin(wt);所述信号连接到电极端部,以致在相邻电极之间生成交替的RF相位,并且生成沿着电极的轴向DC梯度。

4.按照权利要求3所述的离子导向装置,其中按与所述RF信号的时段相当的时间常数或比所述RF信号的时段更长的时间常数,脉动或快速调整所述DC电压。

5.按照权利要求3或4所述的离子导向装置,其中所述电极是圆杆或板。

6.一种长寿命飞行时间检测器,包括:

平行于被检测离子包的时间阵面露出的、产生二次电子的导电转换器表面;

具有侧窗的至少一个电极,利用在100V与10000V之间的压差,与周围电极相比负向浮置转换器;

用于弯曲电子轨迹的磁场强度在10高斯与1000高斯之间的至少两个磁体;

闪烁体,利用1kV至20kV,与转换器表面相比被正向浮置,并且位于所述电极窗之后,相对于所述转换器表面成45°至180°;以及

被配置在闪烁体之后的密封的光电倍增器。

7.按照权利要求6所述的检测器,其中所述闪烁体由抗静电材料制成,或者所述闪烁体被网覆盖以从闪烁体表面除去电荷。

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