[发明专利]电平转换电路及具有该电路的CPU芯片有效
| 申请号： | 202011282717.1 | 申请日： | 2020-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN112332833B | 公开（公告）日： | 2022-08-26 |
| 发明（设计）人： | 张阳;刘勇江 | 申请（专利权）人： | 海光信息技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区天津华苑*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电平 转换 电路 具有 cpu 芯片 | ||
1.一种电平转换电路，用于实现高电源域信号向低电源域切换，其特征在于，包括第一PMOS管、第一NMOS管、第二PMOS管和第二NMOS管，其中：
所述第一PMOS管的栅极作为所述电平转换电路的输入信号连接端，源极连接低电压源，漏极连接所述第一NMOS管的漏极；
所述第一NMOS管的栅极连接所述第一PMOS管的栅极，源极接地，漏极同时连接所述第二PMOS管和第二NMOS管的栅极；
所述第二PMOS管的源极连接低电压源，漏极作为所述电平转换电路的输出信号连接端；
所述第二NMOS管的源极接地，漏极连接所述第二PMOS管的漏极；
所述第一PMOS管的源极和漏极之间设有上拉通路，所述上拉通路包括第三NMOS管，所述第三NMOS管的栅极连接电平转换电路输入信号的反向信号，源极连接所述第一PMOS管的漏极，漏极连接所述第一PMOS管的源极。
2.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述上拉通路还包括第四NMOS管，其中：
所述第三NMOS管的源极同时连接所述第四NMOS管的栅极和漏极；
所述第四NMOS管的源极连接所述第一PMOS管的漏极。
3.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述第四NMOS管为至少两个且依次串联连接。
4.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述上拉通路还包括第三PMOS管，其中：
所述第三NMOS管的源极连接所述第三PMOS管的源极；
所述第三PMOS管的栅极连接漏极并连接至所述第一PMOS管的漏极。
5.根据权利要求4所述的电平转换电路，其特征在于，所述第三PMOS管为至少两个且依次串联连接。
6.根据权利要求1所述的电平转换电路，其特征在于，所述第一PMOS管、第一NMOS管和第三NMOS管为高压MOS管；
所述第二PMOS管和第二NMOS管为低压MOS管。
7.根据权利要求2所述的电平转换电路，其特征在于，所述第四NMOS管为低压MOS管。
8.根据权利要求4所述的电平转换电路，其特征在于，所述第三PMOS管为低压MOS管。
9.根据权利要求1-8中任一所述的电平转换电路，其特征在于，所述电平转换电路包括输入信号反向电路，所述输入信号反向电路包括第五PMOS管和第五NMOS管，其中：
所述第五PMOS管的栅极同时连接电平转换电路输入信号和所述第五NMOS管的栅极，源极连接高电压源，漏极连接所述第五NMOS管的漏极并输出电平转换电路输入信号的反向信号；
所述第五NMOS管的源极接地；
所述第五PMOS管和第五NMOS管均为高压MOS管。
10.一种CPU芯片，其特征在于，包括权利要求1-9中任一所述的电平转换电路。
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