[发明专利]一种优化化学镀金属的方法及具有化学镀金属的结构有效
申请号: | 202011282045.4 | 申请日: | 2020-11-17 |
公开(公告)号: | CN112117235B | 公开(公告)日: | 2021-02-12 |
发明(设计)人: | 眭小超 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 312000 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 优化 化学 镀金 方法 具有 结构 | ||
1.一种优化化学镀金属的方法,其特征在于,包括:
提供一衬底结构,所述衬底结构具有顶层金属层;
在所述顶层金属层上形成无机钝化层,包括:在所述顶层金属层上形成第一钝化层,所述第一钝化层中开设有第一开口以暴露出所述顶层金属层;以及,在所述第一钝化层上形成第二钝化层,所述第二钝化层覆盖所述第一钝化层,以及还覆盖所述第一开口的侧壁和暴露于所述第一开口中的顶层金属层的顶表面,并且所述第二钝化层的厚度小于所述第一钝化层的厚度;
在所述无机钝化层上形成有机钝化层,所述有机钝化层中开设有第二开口,以暴露出位于所述第一开口内的至少部分第二钝化层,所述有机钝化层的第二开口的开口尺寸小于由所述第二钝化层在所述第一开口中限定出的内凹槽的开口尺寸,以使所述有机钝化层还覆盖所述第二钝化层中位于所述第一开口侧壁的部分;
以所述有机钝化层为掩模刻蚀所述第二钝化层,以暴露出所述顶层金属层并形成沟槽;以及,
执行化学镀工艺,以在所述沟槽中形成化学镀金属,所述化学镀金属和所述顶层金属层电性连接。
2.如权利要求1所述的优化化学镀金属的方法,其特征在于,所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料相同。
3.如权利要求1所述的优化化学镀金属的方法,其特征在于,所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料均包括氮化硅。
4.如权利要求1所述的优化化学镀金属的方法,其特征在于,所述第二钝化层的厚度小于等于五分之一的所述第一钝化层的厚度。
5.如权利要求1所述的优化化学镀金属的方法,其特征在于,所述无机钝化层的厚度为9k Å ~13k Å。
6.如权利要求1所述的优化化学镀金属的方法,其特征在于,所述第一钝化层的厚度为8kÅ ~12k Å,所述第二钝化层的厚度为0.8kÅ ~1.2k Å。
7.如权利要求1所述的优化化学镀金属的方法,其特征在于,所述有机钝化层的形成方法包括:
在所述第二钝化层上涂覆有机材料层,所述有机材料层覆盖所述第二钝化层且还填充所述第一开口;
在所述有机材料层的顶表面上形成光阻层,并对所述光阻层执行曝光工艺;以及,
执行显影工艺,以在所述光阻层中形成开槽,并且显影液还通过所述开槽溶解暴露出的有机材料层,以至少部分去除所述有机材料层中对应在所述第一开口中的部分,以形成具有第二开口的所述有机钝化层。
8.如权利要求1所述的优化化学镀金属的方法,其特征在于,所述有机钝化层的材料包括聚酰亚胺。
9.一种采用如权利要求1-8任意一项所述的优化化学镀金属的方法形成的具有化学镀金属的结构,包括:
衬底结构,所述衬底结构具有顶层金属层;
无机钝化层,形成在所述顶层金属层上,包括第一钝化层和形成在所述第一钝化层上的第二钝化层,并且所述第二钝化层的厚度小于所述第一钝化层的厚度;
有机钝化层,至少形成在所述无机钝化层上,并且还具有依次贯穿所述有机钝化层和所述无机钝化层的沟槽,以及所述有机钝化层还在所述沟槽的侧壁位置覆盖所述第二钝化层;以及,
化学镀金属,形成在所述沟槽中,以和所述顶层金属层电性连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造