[发明专利]一种氯硅烷纯化系统的方法及装置在审

专利信息
申请号: 202011279241.6 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112250073A 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 黄国强;张宇;王国锋;苏国良;王乃治 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C01B33/107 分类号: C01B33/107
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300350 天津市津南区海*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 硅烷 纯化 系统 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种氯硅烷纯化系统装置,其特征在于,包括汽化器、过热器、吸附塔、冷凝器、CPS液相产品储罐和CPS产品泵;汽化器设置一出料管路连接过热器;过热器设置一出料管路连接吸附塔底部;吸附塔顶部设置一出料管,出料管中气体部分作为CPS气相产品,部分通过管路连接冷凝器;冷凝器通过管路连接CPS液相产品储罐;CPS产品泵通过管路连接CPS液相产品储罐,将CPS液相产品抽出。

2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,吸附塔采用多级串联或并联,或单级吸附塔。

3.一种氯硅烷纯化系统的纯化方法,其特征在于,液态氯硅烷进入汽化器,汽化后进入过热器,过热后的物料于底部进入吸附塔,氯硅烷中硼、磷、金属、碳痕量杂质与吸附剂上负载的络合剂物质发生化学络合吸附反应被转化为高沸点或固态物质;吸附塔出料部分作为CPS气相产品,部分经冷凝器冷凝后进入CPS液相产品储罐,经CPS产品泵外运;CPS气相或液相产品经简单脱重精馏获得几乎不含硼、磷、金属、碳痕量杂质的高纯氯硅烷产品。

4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,吸附塔温度操作范围为-80~200℃,优选吸附塔温度操作范围为-30~120℃;压力操作范围为0.02~5.0MPa(G),优选压力操作范围为0.1~1.0MPa(G)。

5.如权利要求3所述的方法,其特征在于,吸附剂采用活性炭、活性氧化铝、活性硅胶、人工沸石、分子筛或硅铝凝胶的一种或几种混合。

6.如权利要求3所述的方法,其特征在于,吸附剂材料中负载络合剂物质,络合剂物质为含氮、硫、氧、磷元素的路易斯碱。

7.如权利要求3所述的方法,其特征在于,络合剂物质采用三联吡啶路易斯碱物质、吡咯烷二硫代氨基甲酸盐的一种或两种混合。

8.如权利要求7所述的络合剂物质,其特征在于,络合剂物质以固体方式负载于吸附剂上,负载量为0.1-10%。

9.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述氯硅烷为硅烷、二氯二氢硅、三氯氢硅、四氯化硅、一氯三氢硅、有机氯硅烷,或上述物质的混合物。

10.如权利要求3所述的方法,其特征在于,硼、磷、金属、碳痕量杂质为BCl3、PCl3、PCl5、PH3、B2H6、烃类、甲基二氯硅烷、二甲基一氯硅烷、铜、锌、镍、钾、钠、铁、铝、钙、铬的一种或多种。

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