[发明专利]一种发光薄膜、发光器件及其制作方法、显示基板有效
| 申请号: | 202011278758.3 | 申请日: | 2020-11-16 |
| 公开(公告)号: | CN112375497B | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
| 发明(设计)人: | 梅文海 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 发光 薄膜 器件 及其 制作方法 显示 | ||
本发明提供了一种发光薄膜、发光器件及其制作方法、显示基板,涉及显示技术领域,该发光薄膜经图案化形成发光层,未曝光区域量子点被完全去除,能提高QLED色纯度。发光薄膜包括:至少一个核壳结构;核壳结构包括两亲性嵌段共聚物和至少一个量子点;两亲性嵌段共聚物包括至少一个聚合单元;聚合单元包括亲水性嵌段和疏水性嵌段,亲水性嵌段与疏水性嵌段键合;聚合单元中亲水性嵌段包括至少一个支链;量子点与至少一个支链以化学键形式结合或者通过氢键结合;核壳结构中,全部亲水性嵌段用作核壳结构的第一内核,全部量子点用作核壳结构的第二内核,且第二内核位于第一内核中;疏水性嵌段用作核壳结构的外壳。本发明适用于发光薄膜、发光器件的制作。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种发光薄膜、发光器件及其制作方法、显示基板。
背景技术
随着量子点技术的发展,QLED(Quantum Dots Light-Emitting Diode,量子点发光二极管)的研究日益深入,已基本达到产业化的水平。
然而,目前对QLED中的量子点膜层进行曝光、显影时,很容易使得未曝光区域的量子点部分残留在前膜层上,降低QLED的色纯度。
发明内容
本发明的实施例提供一种发光薄膜、发光器件及其制作方法、显示基板,该发光薄膜经过图案化形成发光层时,未曝光区域的量子点能够被完全去除,从而提高QLED的色纯度。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供了一种发光薄膜、发光器件及其制作方法、显示基板,该发光薄膜包括:至少一个核壳结构;所述核壳结构包括两亲性嵌段共聚物和至少一个量子点;
所述两亲性嵌段共聚物包括至少一个聚合单元;所述聚合单元包括亲水性嵌段和疏水性嵌段,所述亲水性嵌段与所述疏水性嵌段键合;
所述聚合单元中,所述亲水性嵌段包括至少一个支链;所述量子点与至少一个所述支链以化学键形式结合或者通过氢键结合;
核壳结构中,全部亲水性嵌段用作核壳结构的第一内核,全部量子点用作核壳结构的第二内核,且第二内核位于第一内核之中;疏水性嵌段用作核壳结构的外壳。
可选的,所述量子点包括第一主体;
至少一个所述量子点的所述第一主体与所述亲水性嵌段的至少一个所述支链以化学键形式结合。
可选的,所述亲水性嵌段还包括主链,所述主链包括脂肪链;
所述亲水性嵌段的至少一个所述支链包括巯基、氨基、羧基、羟基、吡咯烷酮基中的任一种或者多种。
可选的,所述量子点包括第二主体和配体;
至少一个所述量子点的所述配体与所述亲水性嵌段的至少一个所述支链通过氢键结合。
可选的,所述量子点的所述配体包括巯基、氨基、羧基、羟基、吡咯烷酮基中的任一种或者多种;
所述亲水性嵌段还包括主链,所述主链包括脂肪链;
所述亲水性嵌段的至少一个所述支链包括氨基、羧基、羟基、吡咯烷酮基中的任一种或者多种。
可选的,所述疏水性嵌段包括光敏基团和载流子传输基团,所述光敏基团与所述载流子传输基团键合;
所述光敏基团包括重氮萘醌、丙烯酸、环氧、异戊二烯、叠氮中的任一种;
所述载流子传输基团包括三苯胺、咔唑、吡啶中的任一种。
另一方面,提供了一种发光器件,包括:图案化的发光层;所述图案化的发光层采用上述发光薄膜经曝光、显影后得到。
再一方面,提供了一种显示基板,该显示基板包括上述发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





