[发明专利]一种干法刻蚀制备硅基OLED阳极及OLED器件的方法

权利要求书

1.一种干法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，用去离子水清洗硅基板；

步骤二，在所述硅基板上形成金属膜层，所述金属膜层包括钛膜层、镍膜层、铝膜层、铂膜层、氮化钛膜层、氮化铝膜层中的至少一种导电膜层；

步骤三，在所述金属膜层上均匀旋涂0.8微米的碱溶性抗发射涂层和1.5微米的正性光刻胶层；

步骤四，对所述光刻胶层和所述抗反射涂层进行光刻、显影获得像素点的图形；

步骤五，采用刻蚀性气体轰击底部不被所述光刻胶层和所述抗发射涂层保护的所述金属膜层，再用显影液去除所述光刻胶层和所述抗反射涂层，形成阳极像素点；

步骤六，对所述硅基板进行清洗、烘干。

2.如权利要求1所述的干法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法，其特征在于：所述步骤五中，所述刻蚀性气体为氯气和三氯化硼的混合气体，刻蚀过程中采用质谱仪测定法监测刻蚀终点，使用高压N-甲基吡咯烷酮溶液去除所述光刻胶层和所述抗反射涂层。

3.如权利要求1所述的干法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法，其特征在于：所述抗发射涂层、所述光刻胶层旋涂均匀性误差在百分之三以下。

4.如权利要求1所述的干法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法，其特征在于：所述金属膜层厚度为60纳米。

5.一种OLED器件的制备方法，其特征在于，包括下述流程：

流程一，采用权利要求1至3任一所述的OLED阳极的制备方法，在硅基板上制备阳极；

流程二，在所述阳极上依次形成空穴功能层、有机发光层、电子功能层、透明阴极层、掺锡氧化铟薄膜层；

流程三，在所述掺锡氧化铟薄膜层上形成密封层；

流程四，在所述密封层上形成RGB色彩过滤层；

流程五，在所述RGB色彩过滤层上形成物理保护层；

流程六，在所述物理保护层上粘贴玻璃盖片。

6.如权利要求5所述的OLED器件的制备方法，其特征在于：所述空穴功能层通过真空蒸镀的方法制备，所述空穴功能层包括33纳米空穴注入层、10纳米空穴传输层、10纳米电子阻挡层中的至少一层。

7.如权利要求5所述的OLED器件的制备方法，其特征在于：所述有机发光层采用室温下具有磷光发射性质有机单分子白光材料形成，所述有机发光层厚度为35纳米。

8.如权利要求5所述的OLED器件的制备方法，其特征在于：所述电子功能层通过真空蒸镀的方法制备，所述电子功能层包括15纳米电子传输层、10纳米电子注入层、10纳米空穴阻挡层中的至少一层。

9.如权利要求5所述的OLED器件的制备方法，其特征在于：所述透明阴极层通过真空蒸镀的方法制备，所述透明阴极层厚度为8至10纳米，所述透明阴极层包括镁、铝和银中的至少一种金属。

10.如权利要求5所述的OLED器件的制备方法，其特征在于：所述掺锡氧化铟薄膜层通过真空蒸镀的方法制备，采用有机镀膜机中的溅射系统在所述透明阴极层上沉积30至50纳米的掺锡氧化铟薄膜层。

11.如权利要求5所述的OLED器件的制备方法，其特征在于：所述密封层包括有机保护层、氧化铝隔绝层，所述密封层制备方法为，在有机镀膜设备真空腔体内使用氮气、氧气、氩气、甲硅烷、氨气、一氧化二氮、三氟化氮通过化学气相沉积方式在所述掺锡氧化铟薄膜层表面形成有机保护层，所述有机保护层厚度为200至400纳米，在原子层沉积系统内使用三甲基铝、氧气通过原子层沉积方式在所述有机保护层表面制备氧化铝隔绝层，所述氧化铝隔绝层厚度为180纳米。

12.如权利要求5所述的OLED器件的制备方法，其特征在于：所述RGB色彩过滤层的制备方法为，采用不同颜色的彩胶分别进行涂胶、光刻、显影、定影的流程，所述RGB色彩过滤层厚度为1至1.3微米，最后烘干。