[发明专利]闪存器件的形成方法

权利要求书

1.一种闪存器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有浮栅氧化层、浮栅层和掩膜层；

形成浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构自所述掩膜层表面延伸贯穿所述掩膜层、所述浮栅层和所述浮栅氧化层，并延伸至所述衬底中，以在所述衬底中定义出有源区；

在所述掩膜层以及所述浅沟槽隔离结构上形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层中具有开口，所述开口暴露出部分所述浅沟槽隔离结构和部分所述掩膜层；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀暴露出的所述浅沟槽隔离结构，以形成凹槽，所述凹槽中暴露出所述浮栅氧化层的侧壁、所述浮栅层的侧壁和部分所述有源区的侧壁，并且所述凹槽的底壁低于所述有源区的表面；

去除所述图形化的光刻胶层和所述掩膜层；以及

形成侧墙层，所述侧墙层覆盖所述凹槽的侧壁，其中，所述侧墙层包括第一侧墙层和第二侧墙层，所述第一侧墙层覆盖暴露出的所述有源区的侧壁和所述浮栅氧化层的侧壁，所述第二侧墙层覆盖所述第一侧墙层并延伸覆盖所述浮栅层的侧壁，并且所述第二侧墙层的材质与所述浮栅层的材质相同。

2.如权利要去1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙层的方法包括：

形成第一侧墙层；

对所述第一侧墙执行退火工艺；

形成第二侧墙层。

3.如权利要求3所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层的材质为氧化硅。

4.如权利要求3所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述浮栅层和所述第二侧墙层的材质为多晶硅。

5.如权利要去3所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层通过热氧化工艺或者原位蒸气生成工艺形成，所述第二侧墙层通过化学气相沉积形成。

6.如权利要去3所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，对所述第一侧墙执行退火工艺时，采用的工艺气体为氧气、氮气、一氧化二氮、氧化氮、二氧化氮和氨气中的至少一种，采用的退火温度为700℃～1200℃。

7.如权利要去1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀暴露出的所述浅沟槽隔离结构的方法包括：

通过湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分厚度的所述浅沟槽隔离结构；以及，

通过干法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分厚度的所述浅沟槽隔离结构，以形成所述凹槽。

8.如权利要去7所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述凹槽的底壁与所述有源区表面存在高度差，所述高度差为200埃～600埃。

9.如权利要去1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材质为氮化硅。

10.如权利要去1所述的闪存器件的形成方法，其特征在于，形成浅沟槽隔离结构的方法包括：

依次刻蚀所述掩膜层、所述浮栅氧化层、所述浮栅层和部分厚度的所述衬底，以形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中填充隔离层，以形成所述浅沟槽隔离结构。