[发明专利]一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法

权利要求书

1.一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、利用酸性溶液去除表面的油污、金属颗粒以及其他杂质；

S2、将清洗后的硅片通过物理气相沉积技术沉积铝膜；

S3、在沉积铝膜后的硅片表面沉积一层PSG，并进行一系列退火处理；

S4、将处理后的硅片用溶剂去除表面反应层和吸附的杂质；之后将处理过的硅片进行表面制绒以降低表面光反射；

S5、将处理后的硅片正反面进行非晶硅或微晶硅镀膜；

S6、在非晶硅或微晶硅薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；

S7、在硅片两面的透明导电膜层上形成栅线电极，从而完成异质结电池片的制作流程。

2.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法，其特征在于：

S1.将铸造单晶硅片先后浸入SCI、SCII溶液中漂洗，SCI 溶液配比为V _NH3.H2O∶V _H2O2∶V_DI-water＝1∶1-2∶3-6，SCII溶液配比为V _HCl ∶V _H2O2∶V _DI-water ＝1∶1-3∶ 3-5，溶液中漂洗，温度为 70-90℃，时间为 5-10min ；接着使用酸性溶液清洗180-300s，最后在利用去离子水清洗表面120-240s并烘干至表面无水迹残留即可，烘干温度为50-90℃，烘干时间为3-5min；其中，所述酸性溶液为HF酸、盐酸、硝酸中的一种或多种组合，酸的总质量百分比为5-15％。

3.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法，其特征在于：

S2、将处理好的硅片进行沉积铝膜，沉积方式包含但不限于热蒸镀、磁控溅射或电子束蒸发，铝层厚度为1-3um。

4.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法，其特征在于：

S3、将S2蒸镀后的硅片进行含磷层镀膜与退火处理，采用三氯氧磷扩散法，在高温扩散过程中通入POCL3、O2、N2；在退火过程中可以通入O2和N2；

其中，扩散温度范围为800℃-1100℃之间，退火温度范围为300℃-800℃之间，降温速率范围在2-10℃/min；POCL3气体流量为50sccm-500sccm；O2气体流量为200sccm-2000sccm；N2气体流量为500sccm-5000sccm； 退火气体流量为500sccm-5000sccm；炉管的压力扩散时为50mbar-300mbar之间、退火时为100mbar-500mbar之间；扩散时间控制在5min-30min，退火时间控制在60min-180min。

5.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法，其特征在于：

S4、将S3处理后的硅片采用HF 酸溶液再清洗；其中，HF 酸质量百分比为 5-20％，去离子水质量百分比为 80-95％，硅片在 HF 酸溶液中的处理时间为 5-10分钟，处理温度为20℃-30℃；之后将HF酸溶液处理过铸造单晶硅片进行表面制绒，制绒所用的碱性溶液为 KOH或 NaOH 中的一种，质量百分比为 0.5％ -3％，硅片在碱性溶液中制绒时间为 15-40 分钟，处理温度为 75℃ -85℃。

6.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池制备方法，其特征在于：

S5、在S4制绒清洗之后，通过PECVD(等离子化学气相沉积)沉积制备表面钝化膜层和掺杂膜层；硅片的正面分别沉积本征非晶硅层及N型掺杂的非晶硅或微晶硅层，硅片的背面分别沉积本征非晶硅层及P型掺杂的非晶硅或微晶硅层。