[发明专利]一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法

权利要求书

1.一种铸造单晶硅异质结电池的制备方法，其特征在于：它包括如下步骤：

步骤1.在铸造单晶硅片上形成多孔硅网状的海绵结构；

步骤2.将步骤1处理的铸造单晶硅片进行酸洗；

步骤3.将步骤2处理的铸造单晶硅片进行高温PSG的沉积并进行退火处理；

步骤4.将步骤3处理后的铸造单晶硅片酸洗并制绒；

步骤5.将步骤4的产物进行双面非晶硅镀膜；

步骤6.将步骤5的产物在非晶硅薄膜层的正反面分别生成透明导电膜层；

步骤7.在步骤6的产物两面的透明导电膜层上形成栅线电极。

2.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤1中形成的多孔硅的海绵结构，其多孔硅的多孔度为50％～80％，多孔硅的空洞尺寸为微米级。

3.根据权利要求2所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤1中在铸造单晶硅片上形成多孔硅网状的海绵结构的具体方式为采用混酸性溶液浸泡的方式，混酸性溶液为氢氟酸、硝酸与水的混合溶液，其中氢氟酸的质量百分含量为5％～40％，硝酸的质量百分含量为10％～50％，余量水，混酸性溶液的浸泡温度为5～10℃，浸泡时间为120～300s。

4.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：步骤2中的酸洗为将步骤1处理后的产品放入酸性溶液中进行酸洗，酸性溶液为质量百分含量为1％～5％的氢氟酸水溶液，酸洗时间为180～600s。

5.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述步骤3中的高温PSG的沉积为三氯氧磷扩散法或磷烷离子注入法中的一种，其中沉积的温度范围为700℃～1100℃，沉积厚度为10～100nm；退火处理的温度范围可以在700～1100℃之间，降温速率范围在2～5℃/min之间。

6.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征在于，步骤4中的酸洗采用酸性溶液进行酸洗，酸性溶液为质量百分含量为1％～5％的氢氟酸水溶液，酸洗时间为180～600s。

7.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是：所述的步骤4中制绒采用碱性溶液进行制绒；碱性溶液为氢氧化钾、制绒添加剂与水的混合液，其中氢氧化钾的质量百分含量为1％～5％，制绒添加剂的质量百分含量为0.5％～5％；制得的绒面大小为0.1～10um，制绒时间为8-20分钟，制绒温度为60-90℃，绒面形状为正金字塔结构或倒金字塔结构。

8.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是：所述的步骤5中所述双面非晶硅镀膜，贴近硅片衬底的膜层为本征性非晶硅膜层，在上述硅片的一面本征性膜层之上覆盖N型掺杂的非晶硅或微晶硅膜层，在上述硅片的另外一面本征性膜层之上覆盖P型掺杂的非晶硅或微晶硅膜层；其中，本征性非晶硅膜层厚度为1～10nm，N型掺杂和P型掺杂非晶硅膜层厚度为3～15nm。

9.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是：所述的步骤6中透明导电膜层为含氧化锡、氧化钛、氧化锌或氧化镓掺杂的氧化铟薄膜；透明导电膜层厚度为50～120nm。

10.根据权利要求1所述的一种铸造单晶硅异质结太阳电池的制备方法，其特征是：所述的步骤7中栅线电极的形成为银浆印刷或电镀铜方式。