[发明专利]一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的高效太阳能电池结构在审

专利信息
申请号: 202011268971.6 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN112331735A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 陈琳 申请(专利权)人: 陈琳
主分类号: H01L31/054 分类号: H01L31/054;H01L31/053
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 154007 黑*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 半导体 高效 太阳能电池 结构
【说明书】:

发明公开了一种基于Ⅲ‑Ⅴ族半导体的高效太阳能电池结构,属于太阳能电池技术领域,本发明可以通过在吸光层上设置多根引光棒的方式,不仅可以辅助吸光层提高吸光效率,同时可以自主感知太阳照射角度,利用不同太阳光照射引起的温度变化,从而控制引光棒朝向温度高的方向倾斜,实现引光棒的自主追光,实时与太阳光近似保持直射来提高吸光效果,并且可以通过预埋的蓄光包对白天多余的太阳能进行吸收储存,在夜晚通过控粉膜和遮光粉的配合,对面向外界的方向进行覆盖遮光,强制将蓄光包的放光方向导向面向Ⅲ‑Ⅴ族多晶半导体层的角度,从而提高对光能的利用率,显著提升光电转化效率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池技术领域,更具体地说,涉及一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的高效太阳能电池结构。

背景技术

自二十世纪到二十一世纪,随着人倾生活的进步,对于能源的需求是愈来愈高,但由于地球可用资源有限,为免资源耗尽,太阳能产业应运而生,太阳能是一种绿色环保的永续能源,开发太阳能电池可以将光能储存从而得到利用。太阳能电池是半导体吸收光量或光子后,电子被激发并发生跃迁,激发的电子驱动电路从而形成电池半导体。目前使用的各式太阳能电池材料包括单晶硅、多晶硅、非晶硅等半导体种类或III-V族、二六族的元素链接的材料。

III-V族太阳能电池,又称为聚光型太阳能电池,具有远高于硅晶太阳能电池的光电转换效率。III-V族太阳能电池是以在III-V族基板上,以化学气相沉积法形成薄膜,此类薄膜太阳能电池结构很早就应用在人造卫星的太阳能电池板上,具有可吸收光谱范围极广且转换效率可高逾30%、且寿命较其它种类太阳能电池长、性质稳定的优点。

III-V族太阳能电池尽管不需要用到硅晶,但芯片成本仍然相对高昂,而且目前的太阳能电池没有相对应的保护措施,致使其寿命仍然不长,并且由于太阳光的照射角度是实时变化的,因此导致吸光效率随着照射角的变化而降低,同时无法对白天的多余太阳能进行收集,致使III-V族太阳能电池的光电转化率难以提高。

发明内容

1.要解决的技术问题

针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的高效太阳能电池结构,可以通过在吸光层上设置多根引光棒的方式,不仅可以辅助吸光层提高吸光效率,同时可以自主感知太阳照射角度,利用不同太阳光照射引起的温度变化,从而控制引光棒朝向温度高的方向倾斜,实现引光棒的自主追光,实时与太阳光近似保持直射来提高吸光效果,并且可以通过预埋的蓄光包对白天多余的太阳能进行吸收储存,在夜晚通过控粉膜和遮光粉的配合,对面向外界的方向进行覆盖遮光,强制将蓄光包的放光方向导向面向Ⅲ-Ⅴ族多晶半导体层的角度,从而提高对光能的利用率,显著提升光电转化效率。

2.技术方案

为解决上述问题,本发明采用如下的技术方案。

一种基于Ⅲ-Ⅴ族半导体的高效太阳能电池结构,包括保护底板,所述保护底板外端密封套接有防护外壳,所述防护外壳内端连接有位于保护底板上侧的透明基板,所述透明基板上端连接有非晶硅层,所述非晶硅层上端连接有Ⅲ-Ⅴ族多晶半导体层,所述Ⅲ-Ⅴ族多晶半导体层上端连接有透明导光层,所述透明导光层上端连接有吸光层,所述吸光层上端连接有多根均匀分布的引光棒,所述引光棒包括导光柱、吸光帽和追光套,所述追光套固定套接于导光柱外端,且导光柱与吸光层上端连接,所述吸光帽连接于导光柱上端,所述追光套包括包裹套和多根温控丝,且温控丝均匀镶嵌于包裹套内。

进一步的,所述包裹套外端镶嵌连接有多个均匀分布的光热球,所述光热球内端与温控丝之间连接有导热丝,光热球可以将光能转化为热能,然后通过导热丝传导热量对温控丝进行加热,从而触发其收缩动作,形成向高热能区域的弯曲。

进一步的,所述包裹套采用柔性隔热材料制成,所述光热球采用光热转化材料制成,所述温控丝采用热缩材料制成。

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