[发明专利]电子系统、堆叠式存储器装置及其操作方法在审

专利信息
申请号: 202011268234.6 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN113284531A 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 吴成一;孙教民 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401;G11C11/4063
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘美华;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电子 系统 堆叠 存储器 装置 及其 操作方法
【权利要求书】:

1.一种堆叠式存储器装置,所述堆叠式存储器装置包括:

缓冲器半导体裸片,被配置为与主机装置通信;

多个存储器半导体裸片,堆叠在缓冲器半导体裸片上,所述多个存储器半导体裸片包括多个存储器存储体;

多个贯穿硅过孔,使缓冲器半导体裸片与所述多个存储器半导体裸片电连接;

内存功能前端电路,被配置为从主机装置接收用于内存功能操作的多个内存功能指令并且存储所述多个内存功能指令,其中,内存功能操作包括基于从所述多个存储器存储体读取的内部数据的数据处理;以及

多个内存功能后端电路,位于所述多个存储器半导体裸片中的相应的存储器半导体裸片中,其中,所述多个内存功能后端电路被配置为在内存功能前端电路的控制下执行与存储在内存功能前端电路中的所述多个内存功能指令对应的内存功能操作。

2.根据权利要求1所述的堆叠式存储器装置,其中,内存功能前端电路基于从主机装置传送的命令-地址信号被配置为将操作模式从执行堆叠式存储器装置的正常操作的正常模式转换为执行内存功能操作的内存功能模式,或者被配置为从内存功能模式转换为正常模式。

3.根据权利要求2所述的堆叠式存储器装置,其中,内存功能前端电路被配置为当内存功能前端电路将操作模式从正常模式转换为内存功能模式时通过从主机装置传送的数据信号接收所述多个内存功能指令。

4.根据权利要求2所述的堆叠式存储器装置,其中,内存功能前端电路被配置为当内存功能前端电路将操作模式从正常模式转换为内存功能模式时通过从主机装置传送的数据信号来接收用于控制所述多个内存功能后端电路的配置信息。

5.根据权利要求4所述的堆叠式存储器装置,其中,当配置信息指示顺序执行模式时,内存功能前端电路被配置为基于命令-地址信号执行存储在内存功能前端电路中的所述多个内存功能指令之中的一个内存功能指令,其中,所述一个内存功能指令与包括在命令-地址信号中的一个命令和一个地址对应。

6.根据权利要求4所述的堆叠式存储器装置,其中,当配置信息指示批次执行模式时,内存功能前端电路被配置为顺序地执行存储在内存功能前端电路中的所述多个内存功能指令,而不管命令-地址信号如何。

7.根据权利要求6所述的堆叠式存储器装置,其中,当在批次执行模式下完成存储在内存功能前端电路中的所述多个内存功能指令的执行时,内存功能前端电路被配置为产生内存功能结束信号并且将内存功能结束信号传送到主机装置。

8.根据权利要求6所述的堆叠式存储器装置,其中,内存功能前端电路被配置为在批次执行模式下基于存储在内存功能前端电路中的所述多个内存功能指令而产生用于控制所述多个存储器存储体的内部命令-地址信号。

9.根据权利要求1所述的堆叠式存储器装置,

其中,所述多个存储器存储体形成被主机装置独立访问的多个通道,并且

其中,内存功能前端电路包括多个内存功能通道控制电路,所述多个内存功能通道控制电路被配置为控制与所述多个通道之中的每个通道对应的各个存储器存储体的内存功能操作。

10.根据权利要求9所述的堆叠式存储器装置,其中,所述多个内存功能通道控制电路全部被包括在缓冲器半导体裸片中。

11.根据权利要求9所述的堆叠式存储器装置,其中,所述多个内存功能通道控制电路中的每个被包括在一个存储器半导体裸片中,所述一个存储器半导体裸片包括与所述多个通道之中的每个通道对应的存储器存储体。

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