[发明专利]一种硅片处理方法和硅片

权利要求书

1.一种硅片处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

检测目标硅片的局部光散射缺陷的第一缺陷参数；

在所述第一缺陷参数大于第一缺陷阈值的情况下，检测所述局部光散射缺陷中不可清洗缺陷的第二缺陷参数；

在所述第二缺陷参数大于第二缺陷阈值的情况下，将所述目标硅片标记为待反抛光硅片。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将所述目标硅片标记为待反抛光硅片之后，还包括：

对所述目标硅片进行反抛光工艺处理，其中，所述目标硅片是通过抛光工艺获得的，所述反抛光工艺和所述抛光工艺的工艺参数不同，所述工艺参数包括研磨时间、所使用的研磨液浓度、研磨速度中的一项或多项。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反抛光工艺的研磨时间大于所述抛光工艺的研磨时间；和/或

所述反抛光工艺的研磨液浓度大于所述抛光工艺的研磨液浓度；和/或

所述反抛光工艺的研磨速度大于所述抛光工艺的研磨速度。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述反抛光工艺包括依次进行的第一研磨阶段和第二研磨阶段，所述第一研磨阶段的持续时间为第一时长，所述第二研磨阶段的持续时长为第二时长；

所述对所述目标硅片进行反抛光工艺处理之前，包括：

检测所述目标硅片上不可清洗缺陷的最大深度；

根据所述最大深度确定所述第一时长，其中，所述第一时长随与最大深度线性正相关。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二时长小于所述第一时长，所述第一时长和所述第二时长之和大于所述抛光工艺的研磨时间。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第二研磨阶段的研磨速度小于所述第一研磨阶段的研磨速度，所述第二研磨阶段的研磨速度大于所述抛光工艺的研磨速度。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述目标硅片进行反抛光工艺处理，包括：

利用第一研磨液对所述目标硅片进行第一阶段研磨；

回收所述第一研磨液，将所述第一研磨液稀释为第二研磨液；

利用所述第二研磨液对所述目标硅片进行第二阶段研磨，其中，所述第二研磨液的浓度大于抛光工艺中使用的研磨液的浓度。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测所述局部光散射缺陷中不可清洗缺陷的第二缺陷参数，包括：

检测所述目标硅片的不可清洗缺陷的数量；

计算所述不可清洗缺陷的数量和所述局部光散射缺陷的数量的比值，并将所述比值作为所述第二缺陷参数。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二缺陷阈值不小于50％。

10.一种硅片，其特征在于，通过权利要求1至9中任一项所述的硅片处理方法处理得到。