[发明专利]一种电池基板减薄方法及电池在审
| 申请号: | 202011265859.7 | 申请日: | 2020-11-13 |
| 公开(公告)号: | CN112071961A | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
| 发明(设计)人: | 李俊承;米万里;孙志泉;杨文斐;徐培强;吴洪清;张银桥;王向武;潘彬 | 申请(专利权)人: | 南昌凯迅光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0735 |
| 代理公司: | 南昌金轩知识产权代理有限公司 36129 | 代理人: | 孙文伟 |
| 地址: | 330000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电池 基板减薄 方法 | ||
1.一种电池基板减薄方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、在锗基板上制作正面电极与减反射膜;
S2、使用临时键合技术,将锗基板上存在正面电极的面键合至临时基板上;
S3、对锗基板上无正面电极的面进行减薄,而后对减薄面进行抛光;
S4、对上述锗基板的抛光面使用溶液做进一步抛光,而后在抛光面上进行背面电极蒸镀;
S5、通过解键合将临时基板与锗基板分离,而后对锗基板及蒸镀于锗基板上的背面电极进行切割,得到单体电池;
所述步骤S1包括以下步骤:
S11、在锗基板上,一次扩散出锗底电池;
S12、将完成上述过程的锗基板进行有机清洗;
S13、使用负胶剥离技术,制作正面电极图形;
S14、利用电子束蒸镀技术,在锗底电池表面蒸镀金属电极;
S15、进行电极剥离,将不处于正面电极图形位置上的金属电极从锗底电池上剥离;
S16、选择性腐蚀,通过选择性腐蚀将表面无电极的GaAs去除;
S17、于电池表面蒸镀减反射膜;
S18、对上述步骤中蒸镀的减反射膜进行蚀刻。
2.根据权利要求1所述的一种电池基板减薄方法,其特征在于, 所述步骤S2包括以下步骤:
S21、有机清洗,对完成步骤S1后的锗基板进行有机清洗;
S22、涂胶烘烤,于锗基板上以及临时基板上涂覆临时键合胶,完成后进行烘烤;
S23、键合,将完成步骤S22的锗基板以及临时基板进行临时键合。
3.根据权利要求1所述的一种电池基板减薄方法,其特征在于,所述步骤S3包括以下步骤:
S31、减薄,使用研磨机对完成步骤S2后的锗基板进行减薄;
S32、抛光,对上述步骤S31减薄的面使用抛光机进行抛光。
4.根据权利要求1所述的一种电池基板减薄方法,其特征在于,所述步骤S4包括以下步骤:
S41、溶液抛光,对完成机械抛光的锗基板通过溶液进行抛光;
S42、有机清洗,对完成步骤S41后的锗基板进行有机清洗;
S43、电极蒸镀,使用电子束蒸发的方式对步骤S3中的抛光面进行蒸镀背面电极。
5.根据权利要求1所述的一种电池基板减薄方法,其特征在于,所述步骤S5包括以下步骤:
S51、解键合,将键合的临时基板与锗基板进行解键合,使二者分离;
S52、键合后清洗,将完成解键合的锗基板进行键合后清洗,去除锗基板上的键合胶;
S53、合金处理;
S54、正面涂胶,于锗基板上正面电极所在面上涂覆一层光刻胶;
S55、划片,将锗基板以及附着于其上的背面电极进行切割,得到单体电池;
S56、去除光刻胶。
6.根据权利要求1所述的一种电池基板减薄方法,其特征在于:
还包括断面腐蚀,由于切割会有切割碎屑附着在锗基板的侧面,故采用柠檬酸与双氧水与水的混合液对侧面进行腐蚀。
7.根据权利要求1所述的一种电池基板减薄方法,其特征在于:
所述正面电极图形为梳状电极结构。
8.根据权利要求7所述的一种电池基板减薄方法,其特征在于:
所述梳状电极结构的中部设置有横断主栅。
9.一种电池,其特征在于,采用权利要求1-8中任意一项所述的电池基板减薄技术制成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





