[发明专利]一种用于LDO系统的过温保护电路、方法及系统

权利要求书

1.一种用于LDO系统的过温保护电路，其特征在于，包括偏置电路、比较器、电阻和过温保护器件，所述比较器、所述过温保护器件、所述电阻与所述偏置电路连接；

所述比较器包括与所述偏置电路的输出端连接的第一输入端、用于设置基准参数的第二输入端、以及连接至所述过温保护器件的比较器输出端；

所述过温保护器件包括与所述偏置电路连接的第一端口、与所述比较器输出端连接的第二端口、用于接地的第三端口以及用于调整所述比较器输出端的电位状态的半导体器件，所述半导体器件包括第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第一导电类型的第一外延层、自所述第一外延层的上表面延伸至所述衬底的下表面的沟槽、形成在所述沟槽侧壁内的第一氧化硅、位于所述第一氧化硅之间并位于所述沟槽底部的第二导电类型的第二外延层、形成在所述第二外延层上的第一导电类型的第三外延层、形成在所述第一外延层内并位于所述沟槽两侧的第二导电类型的第一注入区、形成在所述第一注入区内的第一导电类型的第二注入区、形成在所述第一外延层上并与所述第一氧化硅连接的第二氧化硅、以及形成在所述第二氧化硅和所述沟槽顶部的多晶硅，所述多晶硅与所述第二注入区连接，所述第二氧化硅与所述第一注入区、所述第二注入区连接；

其中，当所述半导体器件在所述第二输入端的输入电压小于等于所述第二输入端至所述多晶硅之间的击穿电压时，所述半导体器件关断，当所述输入电压大于所述击穿电压时，所述半导体器件开启。

2.根据权利要求1所述的用于LDO系统的过温保护电路，其特征在于，所述过温保护器件还包括间隔形成在所述衬底下表面的第一金属层、与所述沟槽底部连接的第二金属层、形成在所述多晶硅上并与所述第二注入区连接的介质层、以及形成在所述介质层、所述第一注入区和所述第二注入区上的第三金属层，所述第一金属层与所述第一端口连接，所述第二金属层与所述第二外延层对应设置并与所述第二端口连接，所述第三金属层与所述第三端口连接。

3.根据权利要求1所述的用于LDO系统的过温保护电路，其特征在于，所述基准参数为LDO系统输出的基准电压，当所述偏置电路的输入电流的压降为高电位时，所述比较器输出端输出低电压，所述LDO系统正常工作；

当所述LDO系统在预设温度范围内工作时，所述比较器输出端输出低电压，所述过温保护器件不导通，所述输入电流通过所述电阻流至接地端，所述输入电流的压降为高电位。

4.根据权利要求3所述的用于LDO系统的过温保护电路，其特征在于，还包括：

当所述LDO系统的工作温度超过所述预设温度时，所述过温保护器件导通，所述输入电流的压降变为低电位，所述比较器输出端输出高电压，所述LDO系统停止工作。

5.根据权利要求1所述的用于LDO系统的过温保护电路，其特征在于，所述第二外延层的数量和所述第三外延层的数量均为三，且所述第二外延层和所述第三外延层依次排列在所述沟槽内，所述沟槽的深度等于所述衬底、所述第一外延层的厚度之和，每个所述第二外延层的厚度相等，每个所述第三外延层的厚度相等，每个所述第二外延层的厚度大于每个所述第三外延层的厚度。

6.根据权利要求1所述的用于LDO系统的过温保护电路，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型，所述第一注入区的掺杂浓度小于所述第二注入区的掺杂浓度。

7.一种用于LDO系统的过温保护方法，其特征在于，应用于如权利要求1-6任一项所述的用于LDO系统的过温保护电路，包括：

获取LDO系统的工作温度，判断所述工作温度是否超过所述LDO系统正常工作的预设温度；

若是，所述比较器输出端输出低电压，所述过温保护器件不导通，所述输入电流通过所述电阻流至接地端，所述输入电流的压降为高电位；

若否，所述过温保护器件导通，所述输入电流的压降变为低电位，所述比较器输出端输出高电压，所述LDO系统停止工作。