[发明专利]一种光电探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种光电探测器的制备方法，其特征在于，包括：

在具有顶层硅的半导体衬底上沉积多晶硅，形成多晶硅层；

对所述多晶硅层进行第一次刻蚀，使所述多晶硅层的中间处镂空，作为锗外延区域，同时使多晶硅层的一端形成锥体形；然后在多晶硅层的另一端从多晶硅层刻蚀至穿透顶层硅，形成布拉格光栅阵列；

然后对顶层硅远离布拉格光栅阵列的一端进行刻蚀形成锥体形波导；

然后在锗外延区域内选择性外延生长锗层；

在所述顶层硅和/或所述锗层进行掺杂，形成P掺杂区域和N掺杂区域；

在所述P掺杂区域和所述N掺杂区域上表面制作电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光电探测器为横向PN结结构，所述P掺杂区域和所述N掺杂区域均位于所述顶层硅。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述光电探测器为纵向PN结结构，所述P掺杂区域位于所述锗层和所述顶层硅中的其中一个，所述N掺杂区域位于所述锗层和所述顶层硅中的另一个。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电极由钨层、铝铜合金层由下至上的堆叠而成。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电极、所述锗层和所述波导的外围由氧化硅隔离。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述P掺杂区域由P+区域和P++区域组成，所述N掺杂区域由N+区域和N++区域组成。