[发明专利]一种混合等离子体同轴纳米光波导结构及设备有效
| 申请号： | 202011260315.1 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN112415655B | 公开（公告）日： | 2022-11-18 |
| 发明（设计）人： | 徐哲;李辰;金良;蒋东东;姜金哲;赵雅倩 | 申请（专利权）人： | 苏州浪潮智能科技有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/10 |
| 代理公司： | 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 | 代理人： | 徐彦圣 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 混合 等离子体 同轴 纳米 波导 结构 设备 | ||
1.一种混合等离子体同轴纳米光波导结构，其特征在于，包括：
金属芯；
包裹在所述金属芯外的光学非线性材料；
包裹在所述光学非线性材料外的金属包层；
所述金属芯的截面为圆形，所述光学非线性材料和所述金属包层的截面为环形。
2.根据权利要求1所述的混合等离子体同轴纳米光波导结构，其特征在于，所述金属芯和所述金属包层的材料为铜。
3.根据权利要求1所述的混合等离子体同轴纳米光波导结构，其特征在于，所述光学非线性材料的材料为氮化铝。
4.根据权利要求1所述的混合等离子体同轴纳米光波导结构，其特征在于，所述金属芯的直径为400至700nm。
5.根据权利要求1所述的混合等离子体同轴纳米光波导结构，其特征在于，所述金属包层的直径为1至1.5μm。
6.根据权利要求1所述的混合等离子体同轴纳米光波导结构，其特征在于，所述光学非线性材料的厚度为40至120nm。
7.根据权利要求6所述的混合等离子体同轴纳米光波导结构，其特征在于，所述光学非线性材料的厚度为50nm或100nm。
8.一种电子设备，其特征在于，包括光学芯片和如权利要求1至7任一项所述的混合等离子体同轴纳米光波导结构。
9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述混合等离子体同轴纳米光波导结构设置于所述光学芯片内部；
或者所述混合等离子体同轴纳米光波导结构设置于多个所述光学芯片之间。
10.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述光学芯片输出的光波波长为1550nm。
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