[发明专利]光电转换膜和电子设备在审

申请号：	202011259273.X	申请日：	2015-04-08
公开（公告）号：	CN112510153A	公开（公告）日：	2021-03-16
发明（设计）人：	尾花良哲;根岸佑树;长谷川雄大;竹村一郎;榎修;茂木英昭;松泽伸行	申请（专利权）人：	索尼半导体解决方案公司
主分类号：	H01L51/46	分类号：	H01L51/46;H01L51/42;H01L27/30
代理公司：	北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290	代理人：	王新春;曹正建
地址：	日本神***	国省代码：	暂无信息
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	光电转换电子设备
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种光电转换膜，其包含：

由通式(1)表示的喹吖啶酮衍生物：

其中，在通式(1)中，R₁～R₁₀每一个独立地选自氢、卤素、羟基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基和通过使R₁～R₁₀中的彼此相邻的至少两个缩合而形成的芳基或杂芳基；和

由通式(2)表示的亚酞菁衍生物：

其中，在通式(2)中，R₁₁～R₁₆每一个独立地选自氢、卤素、羟基、烷氧基、氰基、硝基、甲硅烷基、甲硅烷氧基、芳基甲硅烷基、硫代烷基、硫代芳基、磺酰基、芳基磺酰基、烷基磺酰基、氨基、烷氨基、芳氨基、酰基、酰氨基、酰氧基、羧基、甲酰氨基、烷氧羰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的杂芳基，

其中，X选自卤素、羟基、巯基、酰亚氨基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳氧基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷硫基和取代或未取代的芳硫基，

其中，R₁₁～R₁₆中的至少一个表示氟。

2.根据权利要求1所述的光电转换膜，其中，所述喹吖啶酮衍生物和所述亚酞菁衍生物是本体异质混合膜。

3.根据权利要求2所述的光电转换膜，其中，所述本体异质混合膜是具有其中所述亚酞菁衍生物和所述喹吖啶酮衍生物中的一者处于结晶微粒状态且另一者处于非晶状态的微细结构的膜。

4.根据权利要求2所述的光电转换膜，其中，所述本体异质混合膜是具有其中所述亚酞菁衍生物和所述喹吖啶酮衍生物都处于微细结晶状态的微细结构的膜。

5.根据权利要求1所述的光电转换膜，其中，所述光电转换膜选择性地吸收波段大于或等于450nm且小于或等于600nm的绿色光。

6.根据权利要求1所述的光电转换膜，其中，所述光电转换膜在600nm下的吸光系数与所述光电转换膜在最大吸收波长下的吸光系数之比小于或等于0.25。

7.根据权利要求6所述的光电转换膜，其中，所述最大吸收波长大于或等于450nm且小于或等于600nm。

8.根据权利要求1所述的光电转换膜，其中，R₁₁～R₁₆每一个都是氟。

9.根据权利要求1所述的光电转换膜，其中，X选自卤素、羟基、取代或未取代的烷氧基和取代或未取代的芳氧基。

10.根据权利要求1所述的光电转换膜，其中，所述亚酞菁衍生物的最低未占据分子轨道能级比所述喹吖啶酮衍生物的最低未占据分子轨道能级深，并且所述亚酞菁衍生物的最低未占据分子轨道能级与所述喹吖啶酮衍生物的最低未占据分子轨道能级之间的差大于或等于0.1eV且小于或等于1.0eV。

11.一种电子设备，其包括根据权利要求1-10中任一项所述的光电转换膜。