[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 202011258312.4 | 申请日: | 2020-11-12 |
公开(公告)号: | CN112397561B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 曹志浩 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 高杨丽 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
本申请公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。阵列基板包括第一源漏极层、第二源漏极层和金属连接层,所述第一源漏极层包括第一源漏极走线,所述第二源漏极层包括第二源漏极走线,所述金属连接层包括金属桥接线和阳极,所述金属桥接线一端与所述第一源漏极走线连接的第一接触孔,所述金属桥接线另一端与所述第二源漏极走线连接的第二接触孔,所述阳极与所述源极或漏极连接的第三接触孔;其中,所述第一接触孔、第二接触孔和所述第三接触孔为一体成型结构。本申请实施例中设置不同位置的接触孔,使得金属桥接线两端能够连接第一源漏极走线与第二源漏极走线,满足双层走线以平衡阻抗,减少使用光罩,能够节约成本与提升产能。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
有机发光二极管(OLED,Organic Light Emitting Diode)由于其具有柔性,响应时间快,色域广,能耗低等特点得到很大的关注和发展。OLED由阳极、阴极以及阳极与阴极之间的一层或多层的有机材料构成,通过从阳极、阴极注入的空穴和电子在有机发光层复合形成激子,激子辐射跃迁发光。
在OLED显示面板的阵列基板设计制造领域,受限于OLED VDD均一性设计,很多高阶产品为了平衡VDD信号的均一性,一般在阵列基板中使用双层金属走线,但是双层金属走线意味着MASK数变多,会大大增加产品的生产成本和产品的生产周期。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板,以解决现有阵列基板制程中,光罩数目较多,生产成本高与产品周期长的问题。
本申请实施例提供一种阵列基板,包括基底、设置于所述基底上的第一源漏极层、设置于所述基底和所述第一源漏极层上且覆盖所述第一源漏极层的第一保护层、设置于所述第一保护层上的第二源漏极层、设置于所述第一保护层和所述第二源漏极层上且覆盖所述第二源漏极层的第二保护层以及设置于所述第二保护层上的金属连接层;
所述第一源漏极层包括第一源漏极走线,所述第二源漏极层包括第二源漏极走线;
所述第一源漏极走线上方设有穿过所述第一保护层和所述第二保护层的第一接触孔,所述第二源漏极走线上方设有穿过所述第二保护层的第二接触孔,所述金属连接层包括金属桥接线,所述金属桥接线一端穿过所述第一接触孔与所述第一源漏极走线连接,所述金属桥接线另一端穿过所述第二接触孔与所述第二源漏极走线连接。
在一些实施例中,所述金属连接层包括设置于所述第二保护层上的阳极,所述阳极和所述金属桥接线为一体成型结构。
在一些实施例中,所述第一源漏极层包括源极和漏极,所述源极或所述漏极上方设有穿过所述第一保护层和所述第二保护层的第三接触孔,所述阳极穿过所述第三接触孔与所述源极或所述漏极连接;
所述第一接触孔、第二接触孔和所述第三接触孔为一体成型结构。
在一些实施例中,所述第一源漏极走线在所述基底上的正投影与所述第二源漏极走线在所述基底上的正投影部分重叠。
在一些实施例中,所述基底包括衬底、设置于所述衬底上的缓冲层、设置于所述缓冲层上的有源层、设置所述缓冲层和所述有源层上且覆盖所述有源层的第一栅绝缘层、设置于所述第一栅绝缘层上且与所述有源层相对应的第一栅极、设置于所述第一栅绝缘层和所述第一栅极上且覆盖所述第一栅极的第二栅绝缘层、设置于所述第二栅绝缘层上且与所述有源层相对应的第二栅极、设置于所述第二栅绝缘层和所述第二栅极上且覆盖所述第二栅极的层间绝缘层以及设置于所述层间绝缘层上的第一源漏极层,所述源极和所述漏极与所述有源层连接。
在一些实施例中,所述第一保护层和所述第二保护层的材质为硅氧化物或氮氧化物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的