[发明专利]一种稀土电致深蓝光器件有效
申请号: | 202011256112.5 | 申请日: | 2020-11-11 |
公开(公告)号: | CN112467044B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 唐江;杨龙波;罗家俊;谭智方;李京徽;高亮 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 许恒恒;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稀土 深蓝 器件 | ||
1.一种稀土电致深蓝光器件,其特征在于,该稀土电致深蓝光器件用于实现420nm-450nm波长范围的深蓝光电致发光,自上而下依次包括顶电极、电子传输层、发光层、空穴传输层和底电极,其中,所述发光层采用的材料为Eu基钙钛矿型材料;所述Eu基钙钛矿型材料中,Eu元素占据钙钛矿ABX3结构中的B位,且不含Pb;
所述电子传输层和所述空穴传输层用于将电子或空穴局域在所述发光层,并调节电子和空穴的注入平衡;
所述Eu基钙钛矿型材料为CsEuBr3材料;
所述CsEuBr3材料被Cs4EuBr6材料钝化;用于钝化的所述Cs4EuBr6材料与所述CsEuBr3材料的摩尔比为(10%-20%):1。
2.如权利要求1所述稀土电致深蓝光器件,其特征在于,所述发光层采用双源共蒸热蒸发法制备所得,所用蒸发源为CsBr和EuBr2。
3.如权利要求1所述稀土电致深蓝光器件,其特征在于,所述空穴传输层采用无机空穴传输层材料。
4.如权利要求3所述稀土电致深蓝光器件,其特征在于,所述空穴传输层采用NiOx或MoO3材料,x满足1~3/2。
5.如权利要求1所述稀土电致深蓝光器件,其特征在于,所述电子传输层采用有机电子传输材料。
6.如权利要求5所述稀土电致深蓝光器件,其特征在于,所述电子传输层采用TPBi或Bphen材料。
7.如权利要求1所述稀土电致深蓝光器件,其特征在于,所述顶电极为LiF修饰的Al电极。
8.如权利要求1-7任意一项所述稀土电致深蓝光器件,其特征在于,所述底电极为ITO电极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学,未经华中科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011256112.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择