[发明专利]一种光刻胶模型的建立方法及电子设备

说明书

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种光刻胶模型的建立方法及电子设备，S1、提供掩模设计版图及电镜扫描图像，掩模设计版图包括至少一掩模图像，电镜扫描图像包括至少一扫描图案，将至少一扫描图案与至少一掩模图像对准以获得至少一对准扫描图案；S2、识别所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界；S3、至少提取至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；及S4、基于数据集建立光刻胶模型。提取外边界或者内边界的位置信息以形成数据集，其数据是较容易获得以及数量是相对较多的，使得形成的数据集更好的用于模型的建立，同时，外边界或者内边界的位置信息是单点数据，是绝对位置信息，能更加精确的建立光刻胶模型。

【技术领域】

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种光刻胶模型的建立方法及电子设备。

【背景技术】

在现代极大规模集成电路的制造过程中，光刻工艺是其中最重要的步骤，其将掩模版上的图形转移到硅片上，为后序工艺做好准备。而在当前纳米级的技术节点下，为了生产出期望的硅片图样，需要使用计算光刻技术对掩模设计版图进行优化。于是，在对当前工艺参数进行标定时，所得到的光刻胶模型的优劣，将直接影响到计算光刻后续操作中：如掩模优化、光源掩模协调优化等过程的效果。

在模型建立的过程中，硅片关键尺寸(CD)数据作为建模输入之一，是影响模型建立效果的主要因素。而传统的硅片CD数据是以手工在硅片的扫描电子显微图像(SEM)上进行量测得到的，因此数据量往往非常有限，对模型的建立与验证也不够充分。尤其是在负显影(NTD)技术中的光刻胶建模时，可调的优化参数非常多，从而导致模型的解空间异常大，在进行无梯度优化时的速度非常慢。而如果能够有丰富的硅片数据，便可加大对光刻胶项的可调参数的限制，使得优化方向变得更为明显，从而加快建模速度和改善模型精确度。

【发明内容】

为克服目前对于光刻胶模型的建立准确性低的技术问题，本发明提供一种光刻胶模型的建立方法及电子设备。

本发明为了解决上述技术问题，提供一技术方案：一种光刻胶模型的建立方法，其包括如下步骤：S1、提供掩模设计版图及与所述掩模设计版图对应的电镜扫描图像，将所述掩模设计版图图像化，图像化之后的所述掩模设计版图包括至少一掩模图像，所述电镜扫描图像包括与所述至少一掩模图像对应的至少一扫描图案，将所述至少一扫描图案与所述至少一掩模图像对准以获得至少一对准扫描图案；S2、基于边缘检测算法识别所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界；S3、至少提取所述至少一对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；及S4、基于所述数据集建立光刻胶模型。

优选地，所述光刻胶模型的建立方法还包括如下步骤：S20、判断是否存在实测CD数据，若否则执行步骤S3以及步骤S4；若是，则执行步骤S21、步骤S22以及步骤S4：S21、基于所述实测CD数据对所述至少一对准扫描图案进行至少一次调节以获得至少一精确对准扫描图案；S22、至少提取所述至少一精确对准扫描图案的外边界或者内边界的位置信息以形成数据集；步骤S20、步骤21以及步骤S22在步骤S2之后。

优选地，上述步骤S1具体包括如下步骤：S11、基于边缘检测算法识别所述扫描图案的轮廓以及掩模图像的轮廓；S12、提供关于所述电镜扫描图像的坐标参数，基于所述坐标参数将所述扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓初步对准；S13、利用扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓对应点之间的坐标差值建立对准评价函数，基于所述对准评价函数调整所述扫描图案的轮廓与所述掩模图像的轮廓的再次对准至对准评价函数收敛以获得所述对准扫描图案。

优选地，所述步骤S11包括如下步骤：S111、将所述扫描图案的方向调整至与所述掩模图像的方向一致，同时调整所述扫描图案的尺寸与所述掩模图像的尺寸匹配；S112、利用高斯滤波函数对所述扫描图案进行降噪处理；及S113、基于边缘检测算法识别所述扫描图像以及所述掩模图像的轮廓。