[发明专利]有机发光二极管和制备方法，显示面板和显示装置

权利要求书

1.一种有机发光二极管，其特征在于，包括：

阳极；

发光层；以及

阴极，

所述发光层中具有掺杂材料和至少2种主体材料，所述发光层的水平配向因子不小于65％。

2.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述主体材料包括空穴传输主体材料以及电子传输主体材料，所述空穴传输主体材料以及电子传输主体材料的水平配向因子均不小于65％。

3.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述主体材料为有机半导体材料。

4.根据权利要求3所述的有机发光二极管，其特征在于，所述主体材料包括选自咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、茚并咔唑、吲哚咔唑、苯呋咔唑、苯并噻吩、吖啶、三吲哚并苯及其衍生物和稠和物中的至少之一。

5.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层进一步包括受体材料，所述受体材料包括选自咔唑、二苯并呋喃、二苯并噻吩、茚并咔唑、吲哚咔唑、苯呋咔唑、苯并噻吩、吖啶、三吲哚、吡啶、嘧啶、吖嗪、二苯硼烷及其衍生物和稠和物中的至少之一。

6.根据权利要求1-5任一项所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层包括2种所述主体材料，两种所述主体材料的体积比为(9:1)～(1:9)。

7.根据权利要求6所述的有机发光二极管，其特征在于，所述第一主体材料为茚并咔唑三嗪，所述第二主体材料为双咔唑。

8.根据权利要求7所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层中所述第一主体材料和所述第二主体材料的体积比为1:1。

9.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，所述发光层进一步包括掺杂材料，所述掺杂材料包括选自Ir(ppy)₃以及Ir(ppy)₂(acac)的至少之一。

10.根据权利要求1所述的有机发光二极管，其特征在于，进一步包括以下结构的至少之一：

空穴注入层，所述空穴注入层位于所述阳极和所述发光层之间；

空穴传输层，所述空穴传输层位于所述空穴注入层远离所述阳极的一侧；

发光辅助层，所述发光辅助层位于所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧，所述发光层位于所述发光辅助层远离所述空穴传输层的一侧；

空穴阻挡层，所述空穴阻挡层位于所述发光层远离所述发光辅助层的一侧；

电子传输层，所述电子传输层位于所述空穴阻挡层远离所述发光层的一侧；

电子注入层，所述电子注入层位于所述电子传输层远离所述空穴阻挡层的一侧。

11.一种制备权利要求1-10任一项所述的有机发光二极管的方法，其特征在于，包括：

形成阳极；

在所述阳极的一侧蒸镀形成发光层；

在所述发光层远离所述阳极的一侧形成阴极。

12.一种显示面板，其特征在于，包括：

基板，所述基板上具有多尔有机发光二极管，所述有机发光二极管是权利要求1-10任一项所述的。

13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求12所述的显示面板。