[发明专利]基于新型电阻模型的GaN HEMT等效电路拓扑结构

权利要求书

1.基于新型电阻模型的GaN HEMT等效电路拓扑结构，其特征在于，包括晶体管GH；

其中，晶体管GH的栅极G，连接电感L1的一端；

晶体管GH的源极S，连接电感L3的一端；

晶体管GH的漏极D，连接电感L2的一端；

其中，电感L1的另一端，分别连接电容C1的一端、电阻R1的一端和电容C2的一端；

电容C1的另一端接地；

电阻R1的另一端，分别接电容C3的一端和电容C4的一端；

电容C3的另一端，与电阻R2的一端相接；

电容C4的另一端，与电阻R3的一端相接；

电阻R3的另一端，分别与电流源Ids的一端、电容C5的一端、电阻R5的一端和电阻R4的一端相接；

其中，电阻R2的另一端，分别接电阻RS的一端、电流源Ids的另一端、电容C5的另一端和电阻R5的另一端；

电阻R4的另一端，与电感L2的另一端相接；

电感L3的另一端，接电阻RS的另一端。

2.如权利要求1所述的基于新型电阻模型的GaN HEMT等效电路拓扑结构，其特征在于，晶体管GH，是氮化镓高电子迁移率晶体管GaN HEMT。

3.如权利要求1所述的基于新型电阻模型的GaN HEMT等效电路拓扑结构，其特征在于，还包括温控子电路，包括电流源Ith；

电流源Ith的一端，连接电阻R7的一端和电容C7的一端；

电阻R7的另一端和电容C7的另一端相交后，与电压源Va的一端相接；

电子元件B的另一端和电子元件C的另一端接地；

电阻R7两端的电势差，用于表征晶体管GH沟道温度的变化ΔTch。

4.如权利要求3所述的基于新型电阻模型的GaN HEMT等效电路拓扑结构，其特征在于，电阻RS的参数Rs，满足以下公式：

其中，ΔTch＝Pdiss×R_th＝Ids×Vds×R_th， 公式(2)；

其中，在公式(1)中，rss₀为低电流及低沟道温度时初始阻抗，可由常温下的寄生电阻提取方法获得；Ks为沟道温度调制因子，通过不同温度下提取到的寄生电阻值拟合得到；ΔTch为GH的沟道温差，其大小可由公式(2)获得；Ids为流经晶体管的漏源电流，Isat为晶体管的漏源电流所能达到的饱和电流值，二者皆由I-V测量获得。

其中，公式(2)中的Pdiss为耗散功率，数值上等于Ids与Vds的乘积；Vds为加在GH两端的漏压；Rth为热阻的阻值，由不同温度下的直流I-V数据和脉冲I-V数据计算获得。