[发明专利]铜互联工艺中电镀铜填充方法及铜互联结构

权利要求书

1.一种铜互联工艺中电镀铜填充方法，其特征在于，包括：

S1：在第一介质层中形成凹槽；

S2：在所述凹槽的底部表面和侧面形成阻挡层，并在阻挡层上形成籽晶层；以及

S3：进行铜电镀工艺，其中在铜电镀工艺过程中，在电镀液中间歇加入杂质金属离子，以使对于一片晶圆，在铜电镀工艺开始时，在电镀液中加入有杂质金属离子，以在籽晶层表面形成一层合金层，在合金层的形成过程中杂质金属离子完全消耗，而后进入纯铜电镀工艺阶段，通过纯铜电镀工艺将所述凹槽填充而构成铜互联结构的主体铜结构。

2.根据权利要求1所述的铜互联工艺中电镀铜填充方法，其特征在于，所述第一介质层为层间膜。

3.根据权利要求1所述的铜互联工艺中电镀铜填充方法，其特征在于，所述籽晶层采用纯铜材料。

4.根据权利要求1所述的铜互联工艺中电镀铜填充方法，其特征在于，在步骤S3中加入的杂质金属离子的溶液浓度为1g/L至40g/L之间。

5.根据权利要求1或4任一项所述的铜互联工艺中电镀铜填充方法，其特征在于，在步骤S3中单次加入杂质金属离子溶液体积小于50ml。

6.根据权利要求5所述的铜互联工艺中电镀铜填充方法，其特征在于，加入杂质金属离子后电镀液中杂质金属离子的浓度为0.1g/L至5g/L之间。

7.根据权利要求1所述的铜互联工艺中电镀铜填充方法，其特征在于，加入杂质金属离子后电镀液中杂质金属离子的浓度为0.1g/L至5g/L之间。

8.根据权利要求1所述的铜互联工艺中电镀铜填充方法，其特征在于，还包括S4：进行平坦化工艺，而铜互联结构。

9.一种铜互联结构，其特征在于，包括：

凹槽，形成于第一介质层中；

阻挡层，形成在所述凹槽的底部表面和侧面，并在阻挡层上形成有籽晶层；

合金层，形成有在所述籽晶层上，在合金层上形成有主体铜结构，主体铜结构将凹槽填充。

10.根据权利要求9所述的铜互联结构，其特征在于，所述合金层为银铜合金层，所述主体铜结构为纯铜材料。