[发明专利]一种负载状态检测电路及电源芯片

权利要求书

1.一种负载状态检测电路，其特征在于，包括恒压源模块、供电模块和信号模块，

所述供电模块包括第一电阻和第一晶体管，所述第一晶体管为NPN型的三极管，所述第一电阻的第一端与所述恒压源模块的输出端连接，所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的集电极连接，所述第一晶体管的集电极和基极连接，所述第一晶体管的发射极用于连接负载；

所述信号模块的第一输入端与所述第一电阻的第一端连接，所述信号模块的第二输入端与所述第一电阻的第二端连接，所述信号模块被配置为，当流经所述第一电阻的参考电流满足第一预设条件以及所述信号模块的第二输入端获取的参考电压满足第二预设条件时，所述信号模块的第一输出端输出工作信号以驱使功率输出电路开启并为所述负载供电；当所述参考电流不满足第一预设条件时，所述信号模块的第一输出端不输出所述工作信号以驱使功率输出电路关闭并停止为所述负载供电；当所述参考电压不满足第二预设条件时，所述信号模块的第一输出端不输出所述工作信号以驱使功率输出电路关闭并停止为所述负载供电或者周期性地输出第一预设脉宽的所述工作信号以驱使功率输出电路在负载的短路状态去除时自主启动；

当所述参考电流不满足所述第一预设条件时，判断当前负载状态为空载；当参考电压不满足所述第二预设条件时，判断当前负载状态为短路。

2.根据权利要求1所述的负载状态检测电路，其特征在于，所述第一预设条件包括，所述参考电流大于0A且持续时间超过预设时长。

3.根据权利要求2所述的负载状态检测电路，其特征在于，所述第二预设条件包括，所述参考电压大于1.4V且持续时间超过所述预设时长。

4.根据权利要求3所述的负载状态检测电路，其特征在于，所述信号模块包括充放电子模块和电容器；

所述充放电子模块被配置为，当所述参考电流大于0A且所述参考电压大于1.4V时对所述电容器充电，否则，对所述电容器放电；

所述信号模块被配置为，当所述电容器的电压大于或等于预设电压时，输出所述工作信号。

5.根据权利要求4所述的负载状态检测电路，其特征在于，所述恒压源模块还用于提供偏置电流，所述充放电子模块包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第二电阻、第三电阻、第四电阻，所述信号模块还包括第八晶体管；

所述第二晶体管为PNP型的三极管，所述第二晶体管的发射极与所述第一电阻的第一端连接，所述第二晶体管的基极与所述第一电阻的第二端连接并用于获取所述参考电压；

所述第三晶体管为NPN型的三极管，所述第三晶体管的集电极与所述第二晶体管的集电极连接，所述第三晶体管的基极与自身的集电极连接；

所述第四晶体管为NPN型的三极管，所述第四晶体管的集电极与所述第三晶体管的发射极连接，所述第四晶体管的基极与自身的集电极连接；

所述第二电阻的一端与所述第二晶体管的集电极连接，另一端与所述第五晶体管的发射极连接；

所述第五晶体管为PNP型的三极管，所述第五晶体管的集电极接地；

所述第三电阻的一端与所述第四晶体管的发射极连接，另一端与所述第七晶体管的基极连接；

所述第四电阻的一端与所述第四晶体管的发射极连接，另一端接地；

所述第六晶体管为NPN型的三极管，所述第六晶体管的集电极与所述第五晶体管的基极连接，所述第六晶体管的基极与所述第七晶体管的集电极连接，所述第六晶体管的发射极接地；

所述第七晶体管为NPN型的三极管，所述第七晶体管的集电极用于获取所述偏置电流，所述第七晶体管的发射极接地；

所述电容器的一端与所述第六晶体管的集电极连接，另一端与所述第六晶体管的发射极连接；

所述第八晶体管为NPN型的三极管，所述第八晶体管的集电极用于获取所述偏置电流并用于输出所述工作信号，所述第八晶体管的基极与所述第六晶体管的集电极连接，所述第八晶体管的发射极与所述第六晶体管的发射极连接。