[发明专利]一种PECVD沉积太阳能电池掺杂层的气源和系统

权利要求书

1.一种PECVD沉积太阳能电池掺杂层的气源，其特征在于，所述气源采用卤代硅烷和掺杂气体的混合气体。

2.一种PECVD沉积太阳能电池掺杂层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1.将放置在载具上的硅片(10)输送到工艺腔(20)内；

S2.将工艺腔(20)抽真空；

S3.向工艺腔(20)内通入权利要求1所述的卤代硅烷和掺杂气体的混合气体，并开启电源激发等离子体放电，同时将工艺腔(20)加热，低压真空环境中反应并在硅片(10)表面生成掺杂的硅薄膜，从而获得原位掺杂层以实现钝化效果。

3.根据权利要求2所述的一种PECVD沉积太阳能电池掺杂层的制备方法，其特征在于，步骤S2中，工艺腔(20)内的真空压力为1-30Pa；步骤S3中，工艺腔(20)内加热温度为100-700℃。

4.一种PECVD沉积太阳能电池掺杂层的系统，其特征在于，包括输送系统及反应系统；

所述输送系统包括输送线及设置在所述输送线上的载具，硅片(10)放置在所述载具上；

所述反应系统包括工艺腔(20)，用于将所述工艺腔(20)抽真空的真空设备(30)，用于向所述工艺腔(20)内通入工艺气体的供气设备(40)，以及设置在所述工艺腔(20)内的加热装置(50)。

5.根据权利要求4所述的一种PECVD沉积太阳能电池掺杂层的制备系统，其特征在于，所述供气设备(40)包括掺杂气体供应设备及卤代硅烷供应设备；所述卤代硅烷供应设备具有加热机构，以用于将卤代硅烷加热气化形成气态源并通入的所述工艺腔(20)内。

6.根据权利要求4所述的一种PECVD沉积太阳能电池掺杂层的系统，其特征在于，所述加热装置(50)的加热方式为红外加热、微波加热、激光加热中的一种或多种。

7.一种太阳能电池掺杂层，其特征在于，采用权利要求4的系统和权利要求2的方法制备而成。

8.一种TOPCon太阳能电池，其特征在于，包含权利要求7所述的掺杂层。