[发明专利]一种多层银堆叠结构的高精度银电极及其制备方法

说明书

本发明提供了一种多层银堆叠结构的高精度银电极及其制备方法，采用多层银和难刻蚀金属氧化物堆叠结构，多层银堆叠结构刻蚀中，由于硝化混酸对Ag的刻蚀速率很快，对金属氧化物刻蚀速率较慢，所以会形成小的间隔(space)，药液在小space里由于液体表面张力的原因，很难扩散进去，所以在过刻过程中，Ag不会持续刻蚀，CD loss不会变大，获得高精度、高反射率的电极，满足超高分辨率显示需求。

技术领域

本发明属于新型显示技术领域，尤其涉及包括有机发光二极管，硅基微显，数字微镜芯片等显示行业用Ag电极，具体涉及一种多层银堆叠结构的高精度银电极及其制备方法。

背景技术

由于Ag反射率高达98％，被广泛应用于顶发射有机发光二极管器件，但是由于银(Ag)只能使用湿法刻蚀工艺，CD loss较大(1μm),所以Ag电极结构没办法应用到硅基微显，数字微镜器件(DMD)等超高分辨率显示上。目前超高分辨率显示主要使用铝(Al)电极，但是铝反射率低(～91％),而且Al容易在在退火工艺中由于应力集中和释放导致突刺(hillock)和凹坑，表面平整度差；铝导电性差，电迁移严重，尤其是电阻随着像素尺寸变小越来越大，电迁移越来越严重，电学可靠性变差。而Ag不存在应力变化导致的表面平整度差的问题，Ag导电性好，所以开发高精度、高反射率，高导电性银电极对超高分辨显示很有意义。

目前Ag电极主要使用ITO/Ag/ITO结构，硝化混酸(硝酸、磷酸、醋酸)一步刻蚀工艺，硝化混酸ITO刻蚀速率慢，Ag刻蚀速率很快，在刻下层ITO时刻蚀时间长，会导致Ag大量过刻，导致Ag CD loss很大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种多层银堆叠结构的高精度银电极，包括多层银和难刻蚀金属氧化物堆叠结构。

本发明还有一个的目的在于提供一种多层银堆叠结构的高精度银电极的制备方法，采用多层银和难刻蚀金属氧化物堆叠结构，多层银堆叠结构刻蚀中，由于硝化混酸对Ag的刻蚀速率很快，对金属氧化物刻蚀速率较慢，所以会形成小的间隔(space)，药液在小space里由于液体表面张力的原因，很难扩散进去，所以在过刻过程中，Ag不会持续刻蚀，CDloss不会变大，获得高精度、高反射率的电极，满足超高分辨率显示需求。

本发明具体技术方案如下：

一种多层银堆叠结构的高精度银电极，最上层和最底层均为ITO、IGZO或IZO等透过率很高的材料，中间为多层Ag，每两层Ag之间设置难刻蚀金属氧化物层。多层堆叠阳极结构目前还没有报道，在银之间插入金属氧化物层，阻值会增大约10％，但通过增加堆叠层数，可以把阻值调小。

进一步的，最上层ITO、IGZO或IZO等透过率很高的材料层下为Ag层；最底层ITO、IGZO或IZO等透过率很高的材料层上为Ag层；

进一步的，每2层难刻蚀金属氧化物层之间为Ag层。

所述难刻蚀金属氧化物层为透过率＞85％的材料；优选为ITO、IGZO或IZO等透过率很高的材料。

选择ITO、IGZO或IZO等透过率很高的材料，不吸收光，是为了不影响银的反射，即使有少量光透过前2层银，光也会透过ITO、IGZO或IZO等材料，到达更下层银表面，再反射回来。

所述Ag层厚度100-300A；所述难刻蚀金属氧化物层厚度≤100A。

层间距越小，溶液由于表面张力作用越难扩散进入缝隙，所以Ag层厚度100-300A，难刻蚀金属氧化物层厚度≤100A。

本发明提供的一种多层银堆叠结构的高精度银电极的制备方法，包括以下步骤：

1)制备多层银堆叠结构的银电极：通过PVD溅射，最上层和最底层均为ITO、IGZO或IZO，最上层和最底层材料相同，中间为多层Ag，每两层Ag之间为难刻蚀金属氧化物层；

2)光刻；