[发明专利]一种选择性发射极钝化接触太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种选择性发射极钝化接触太阳电池的制备方法，其特征在于：本方法包括：

S1、N型硅片预处理和双面制绒；

S2、N 型硅片的正面处理：

在N型硅片的正面设置P+掺杂层；

S3、N 型硅片的背面处理：

在N 型硅片的背面依次制备隧穿氧化层和一定厚度的本征非晶硅层，然后将本征非晶硅层转化为多晶硅层，并在硅片背面形成N+多晶硅掺杂层；

S4、背面选择性重掺杂：

在所述的N+多晶硅掺杂层进行选择性重掺杂，形成N++重掺杂区；

S5、去除因工艺带来的其它非必要层；

S6、在N型硅片的正面形成正面钝化减反射层，同时在N型硅片的背面形成背面钝化减反射层；

S7、在N型硅片的正面和背面分别进行电极金属化，得到正面电极和背面电极；其中，背面电极套印在所述的N++重掺杂区上。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的S2具体为：

通过正面硼扩散工艺形成PN结；刻蚀，单面去除背面和边缘硼发射极结，保留正面硼硅玻璃层作为下一道工序的掩膜层。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：所述的S5包括：去除正面绕镀多晶硅层；去除正面的掩膜层和背面的残余掺杂源。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：还包括正面选择性重掺杂的步骤，在所述的P+掺杂层进行正面选择性重掺杂，形成P++重掺杂区；

所述正面选择性重掺杂的步骤，在去除正面绕镀多晶硅之后，去除正面的掩膜层和背面的残余掺杂源之前进行；

所述正面电极套印在所述的P++重掺杂区上。

5.根据权利要求4任一所述的制备方法，其特征在于：所述背面选择性重掺杂和/或正面选择性重掺杂采用激光掺杂的方式进行。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：激光掺杂时，激光模式为脉冲纳秒模式、连续模式或准连续模式，激光波长为200nm~1100nm。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：激光掺杂时，激光能量分布为高斯分布或平顶分布。

8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：激光掺杂时，激光加工方式为振镜扫描方式，或者是XY模组带动激光模组或N型硅片相对运动进行加工。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述的S3中的本征非晶硅层厚度为40~120nm，得到的N+多晶硅掺杂层的厚度为40~120nm，所述的S3中的N+多晶硅掺杂层的方阻为100~300Ω/□，所述N++重掺杂区方阻为40~70Ω/□。

10.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：P+掺杂层方阻为120~200Ω/□，P++重掺杂区的方阻为70~90Ω/□。

11.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述的去除正面绕镀多晶硅层，采用化学腐蚀方式或者激光扫描加工方式。

12.一种选择性发射极钝化接触太阳电池，其特征在于：采用权利要求1至11中任意一项所述的方法制备得到。