[发明专利]将输入射频信号变换为输出射频信号的射频变压器在审
申请号: | 202011245497.5 | 申请日: | 2015-06-17 |
公开(公告)号: | CN112614674A | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 乌多·卡索斯;卡尔-弗雷德里克·宾克 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01F27/29 | 分类号: | H01F27/29;H01F27/28;H03F3/189 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 输入 射频 信号 变换 输出 变压器 | ||
1.一种将输入射频信号变换为输出射频信号的射频变压器(100),其特征在于,所述射频变压器(100)包括:
具有第一输入端子和第二输入端子的初级绕组(101),其中:所述第一输入端子和所述第二输入端子用于处理所述输入射频信号,所述初级绕组(101)包括第一部分(L1Pa)、第二部分(L1Pb)、第三部分(L1Na)和第四部分(L1Nb),所述第一部分(L1Pa)电磁地耦合至所述第四部分(L1Nb),所述第二部分(L1Pb)电磁地耦合至所述第三部分(L1Na);以及
具有第一输出端子和第二输出端子的次级绕组(103),其中:所述第一输出端子和所述第二输出端子用于提供所述输出射频信号,所述次级绕组(103)电磁地耦合至所述初级绕组(101)的所述第一部分(L1Pa)、所述第二部分(L1Pb)、所述第三部分(L1Na)和所述第四部分(L1Nb)。
2.根据权利要求1所述的射频变压器(100),其特征在于,所述第一部分(L1Pa)电磁地与所述第二部分(L1Pb)解耦,所述第三部分(L1Na)电磁地与所述第四部分(L1Nb)解耦。
3.根据权利要求1或2所述的射频变压器(100),其特征在于,所述输入射频信号是一个差分射频信号,而所述输出射频信号是一个单端射频信号。
4.根据任意前述权利要求所述的射频变压器(100),其特征在于,所述输入射频信号包括在输入频率处的信号分量,所述射频变压器(100)的共模谐振频率大于所述输入频率的两倍频率。
5.根据任意前述权利要求所述的射频变压器(100),其特征在于,所述初级绕组(101)的所述第一部分(L1Pa)和所述第二部分(L1Pb)并联,或者所述初级绕组(101)的所述第三部分(L1Na)和所述第四部分(L1Nb)并联。
6.根据任意前述权利要求所述的射频变压器(100),其特征在于,所述射频变压器(100)置于半导体衬底上,其中:所述第一部分(L1Pa)包括第一导线,所述第二部分(L1Pb)包括第二导线,所述第三部分(L1Na)包括第三导线,所述第四部分(L1Nb)包括第四导线。
7.根据权利要求6所述的射频变压器(100),其特征在于,所述第一导线的一部分邻近所述第四导线的一部分,或者所述第二导线的一部分邻近所述第三导线的一部分。
8.根据权利要求6或7所述的射频变压器(100),其特征在于,所述第一导线的一部分和所述第四导线的一部分置于所述半导体衬底上的不同层内,或者所述第二导线的一部分和所述第三导线的一部分置于所述半导体衬底上的不同层内。
9.根据任意前述权利要求所述的射频变压器(100),其特征在于,所述初级绕组(101)连接到一个供应电压源。
10.根据权利要求9所述的射频变压器(100),其特征在于,所述供应电压源连接到所述第一部分(L1Pa)与所述第三部分(L1Na)之间的所述初级绕组(101),或者所述供应电压源连接到所述第二部分(L1Pb)与所述第四部分(L1Nb)之间的所述初级绕组(101)。
11.一种射频发射器(200),其特征在于,包括:
调制器(201),用于产生输入射频信号;以及
根据权利要求1至10中的任意权利要求的射频变压器(100),其中所述射频变压器(100)用于将所述输入射频信号变换为输出射频信号。
12.根据权利要求11所述的射频发射器(200),其特征在于,所述调制器(201)用于通过从所述射频变压器(100)拉出射频电流来产生所述输入射频信号。
13.根据权利要求11或12所述的射频发射器(200),其特征在于,所述调制器(201)是一个直接数字射频调制器。
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