[发明专利]一种基于零维金属卤化物的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于零维金属卤化物材料的发光二极管，其特征在于，包括ITO基板和涂覆于所述ITO基板上的若干薄膜层，所述薄膜层通过溶液旋涂-高温退火和蒸镀的方式形成；

所述发光二极管的器件结构为ITO/PEDOT:PSS/Poly-TPD/(Ph₄P)₂SbCl₅/TPBi/LiF/Al；

所述溶液为PEDOT:PSS、溶于氯苯的Poly-TPD和溶于的二甲基亚砜Ph₄PCl与SbCl₃溶液，其中，Ph₄PCl与SbCl₃的摩尔比为2：1。

2.根据权利要求1所述的基于零维卤化配合物的发光二极管，其特征在于，所述的发光二极管为橙色发光二极管。

3.一种如权利要求1或2所述的基于零维卤化配合物的发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：(Ph₄P)₂SbCl₅溶液的配制

将Ph₄PCl和SbCl₃粉末按2：1的摩尔比溶于DMSO溶液中，形成(Ph₄P)₂SbCl₅溶液；

S2：ITO基板处理

将ITO基板进行清洗、氮气枪吹干并用紫外线等离子体处理；

S3：空穴注入层的制备

将经S2处理好的ITO基板置于旋涂仪内，然后以2000-4000rpm旋涂30-100s得到空穴注入层PEDOT:PSS薄膜，将旋涂得到的PEDOT:PSS薄膜经80-150℃退火10-30min，得到由PEDOT:PSS覆盖的ITO基板；

S4：空穴传输层的制备

将经S3旋涂的ITO基板置于手套箱中的旋涂仪内，然后以2000-4000rpm旋涂30-60s得到空穴传输层Poly-TPD薄膜，将旋涂得到的Poly-TPD经100-150℃退火10-30min得到Poly-TPD薄膜，涂覆在含有PEDOT:PSS的ITO基板上；

S5：发光层(Ph₄P)₂SbCl₅的薄膜制备

将经S4旋涂的ITO基板置于手套箱中的旋涂仪内，然后以2000-4000rpm的转速旋涂(Ph₄P)₂SbCl₅薄膜，退火温度设置为80-120℃，退火时间为10-30min，最后得到由(Ph₄P)₂SbCl₅薄膜覆盖的涂覆上Poly-TPD和PEDOT:PSS的ITO基板；

S6：电子传输层TPBi的薄膜制备

将经S5处理后的ITO基板放在有机掩模板上并置于真空蒸镀机中，然后控制TPBi的蒸镀速率在最后得到由TPBi薄膜覆盖的涂覆上(Ph₄P)₂SbCl₅、Poly-TPD和PEDOT:PSS的ITO基板；

S7：电子注入层LiF和电极Al的制备

将经S6处理后的ITO基板放在电极掩模板上并置于真空蒸镀机中，然后分别控制LiF的蒸发速率为电极Al的蒸发速率在得到所述的发光二极管。

4.根据权利要求3所述的基于零维卤化配合物的发光二极管的制备方法，其特征在于，在所述S1步骤中，所述ITO基板的尺寸规格为1.5cm*1.5cm。

5.根据权利要求3所述的基于零维金属卤化物的发光二极管，其特征在于，在所述S4步骤中，所述的手套箱中的环境水氧值均小于1pmm。

6.根据权利要求3所述的基于零维金属卤化物的发光二极管，其特征在于，所述S5步骤中，所述的旋涂转速为2000-4000rpm，旋涂时间为20-70s，退火温度为80-150℃，退火时间为10-30min。

7.根据权利要求3所述的基于零维金属卤化物的发光二极管，其特征在于，在所述S6步骤中，所述的真空蒸镀机的压强小于4×10^-6托。