[发明专利]一种手性多巴检测专用纸芯片及检测分析方法在审
| 申请号: | 202011240027.X | 申请日: | 2020-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN112683900A | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
| 发明(设计)人: | 刘春叶;张剑;苗延青;张博;靖会;杨玉莹 | 申请(专利权)人: | 西安医学院 |
| 主分类号: | G01N21/84 | 分类号: | G01N21/84;G01N21/31;G01N15/02;G01N27/00;G01N33/50 |
| 代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 燕肇琪 |
| 地址: | 710021 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 手性 检测 专用 芯片 分析 方法 | ||
1.一种用于手性多巴测定的纸质微流控芯片,其特征在于:所述的微流控芯片的纸基采用空隙率低、孔径小、且分布均匀的色谱纸,在色谱纸上用打孔器进行打孔,打出实验所用的圆形纸芯片;所述的纸基孔隙率在65~85%之间;所述的纸基孔径在10μm~11μm之间;所述的色谱纸为:厚度180μm,基本重量88g/m2,空气流速10.5s/100mL/in2,灰份含量0.06%,拉伸模量39.1N/15mm,最低α-纤维素含量98%的纤维素纸。
2.一种用纸质微流控芯片对手性多巴进行含量测定的方法,其特征在于:包括以下步骤:
步骤1:采用打孔器在色谱纸上进行打孔,打出实验所用的圆形纸芯片;
步骤2:检测前配制氯金酸溶液、柠檬酸钠溶液、L-半胱氨酸溶液、磷酸缓冲液和L-多巴溶液;
步骤3:制备纳米金;
步骤4:L-半光氨酸(L-Cys)修饰纳米金;
步骤5:分别在L-Cys-AuNPs加样量5~8μL、L-多巴加样量5~12μL、反应时间1-20min和反应pH 3~7.4条件下进行检测,得到最佳检测条件;
步骤6:检测前制作左旋多巴标准曲线;
步骤7:最低检测限测定;
步骤8:加样回收实验;
步骤9:重复性实验;
步骤10:实际样品测定。
3.根据权利要求2所述的一种用纸质微流控芯片对手性多巴进行含量测定的方法,其特征在于:结合步骤1、2、3、4、5、6,分别在L-Cys-AuNPs加样量5~8μL、L-多巴加样量5~12μL、反应时间1-20min和反应pH 3~7.4条件下进行检测,得到最佳检测条件。
4.根据权利要求2所述的一种用纸质微流控芯片对手性多巴进行含量测定的方法,其特征在于:步骤7中所述的“最低检测限试验”具体如下:
配制不同浓度的L-多巴溶液,在纸芯片上进行检测,随行空白校正,显色后,用Photoshop软件分析L-多巴与空白的Red通道和Blue通道的mean值,得到最低检测限为0.004mmol/L。
5.根据权利要求2所述的一种用纸质微流控芯片对手性多巴进行含量测定的方法,其特征在于:步骤8中所述的“加样回收实验”具体如下:
分别配制0.02、0.04、0.08mmol/L的L-多巴溶液标准品,依次加入所含L-多巴80%、100%、120%的对照品,在纸芯片上进行测定,得到低、中、高浓度时,纸芯片的加样回收率分别为99.0%、98.2%、101.0%,在98.21%-101.05%之间,工作曲线的准确性良好。
6.根据权利要求2所述的一种用纸质微流控芯片对手性多巴进行含量测定的方法,其特征在于:步骤9中所述的“手性多巴检测的重复性实验”具体如下:
配制浓度为0.02、0.04、0.06mmol/L L-多巴溶液在纸芯片上进行测定,随行空白实验,得到不同浓度的L-多巴的日内精密度为3.13%,日间精密为3.82%。实验结果在5%以内,重复性良好。
7.根据权利要求2所述的一种用纸质微流控芯片对手性多巴进行含量测定的方法,其特征在于:步骤10中所述的“实际样品测定”具体如下:
配制浓度为0.04、0.06、0.08mmol/L的DL-多巴溶液,在纸芯片上测定其中左L-多巴的含量,其中L-多巴的理论含量为50%,检测结果得DL-多巴中L-多巴的含量为50.57%、52.12%、52.07%,L-多巴浓度检测结果与标注值误差在±5%内。
8.根据权利要求2所述的一种用纸质微流控芯片对手性多巴进行含量测定的方法,其特征在于:步骤中3、4具体操作如下:
对空白纳米金和L-Cys修饰纳米金进行紫外可见光谱扫描得空白纳米金的最大吸收波长为518nm,吸光度为0.5446,L-Cys修饰纳米金的最大吸收波长为520nm,吸光度0.5434,出现红移,说明纳米金被L-Cys成功修饰;对空白纳米金和L-Cys修饰纳米金进行粒径测定,空白纳米金的平均粒径是36.57nm(n=3),L-Cys修饰纳米金的平均粒径是47.49nm(n=3),粒径增大,可证明L-Cys已成功修饰到纳米金表面;对空白纳米金和L-Cys修饰纳米金进行电位测定,空白纳米金的平均电位是-7.24mV,L-Cys修饰纳米金的平均电位是-14.7mV,电位降低,可以进一步证明纳米金被L-Cys修饰。
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