[发明专利]显示设备和制造显示设备的方法在审
| 申请号: | 202011239736.6 | 申请日: | 2020-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN112786664A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 金宰范;金明镐;孙暻锡;李承俊;李昇宪;林俊亨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;康泉 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 制造 方法 | ||
1.一种显示设备,包括:
基板;
设置在所述基板上的第一有源层;
设置在所述第一有源层上的第一绝缘层;
设置在所述第一绝缘层上的第一栅电极,所述第一栅电极与所述第一有源层重叠;
设置在所述第一栅电极上的第二绝缘层;
设置在所述第二绝缘层上的第二有源层;
设置在所述第二绝缘层上的第一电容器电极,所述第一电容器电极与所述第一栅电极重叠;
设置在所述第二有源层和所述第一电容器电极上的第三绝缘层;
设置在所述第三绝缘层上的第二栅电极,所述第二栅电极与所述第二有源层重叠;以及
设置在所述第三绝缘层上的第二电容器电极,所述第二电容器电极与所述第一栅电极重叠并且电连接到所述第一电容器电极。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一电容器电极和所述第二有源层包括相同的材料。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一有源层包括多晶硅。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二绝缘层包括氮化硅。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二绝缘层的介电常数大于所述第三绝缘层的介电常数。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二有源层和所述第一电容器电极各自包括氧化物半导体。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第三绝缘层包括氧化硅。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第三绝缘层的氢含量小于所述第二绝缘层的氢含量。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二电容器电极不与所述第一电容器电极重叠。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第二电容器电极与所述第一电容器电极重叠。
11.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
设置在所述第二栅电极和所述第二电容器电极上的第四绝缘层;和
设置在所述第四绝缘层上的连接电极,所述连接电极将所述第二电容器电极和所述第一电容器电极电连接。
12.根据权利要求11所述的显示设备,其中,恒定电压被施加到所述连接电极。
13.根据权利要求11所述的显示设备,进一步包括:
设置在所述第四绝缘层上并且电连接到所述第一有源层的第一源电极和第一漏电极;和
设置在所述第四绝缘层上并且电连接到所述第二有源层的第二源电极和第二漏电极,
其中,所述连接电极、所述第一源电极、所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极设置在同一层上。
14.根据权利要求13所述的显示设备,进一步包括:
电连接到所述第一源电极或所述第一漏电极的像素电极;
设置在所述像素电极上的发射层;和
设置在所述发射层上的对电极。
15.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层之间的下电极,所述下电极与所述第二有源层重叠。
16.根据权利要求15所述的显示设备,其中,所述下电极电连接到所述第二栅电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





