[发明专利]传送单元、包括该传送单元的基板处理装置和基板处理方法在审
| 申请号: | 202011239668.3 | 申请日: | 2020-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN112786490A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 李知桓 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 钟锦舜;石宝忠 |
| 地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 传送 单元 包括 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,包括:
支撑板;
多个突起,所述多个突起从所述支撑板向上突出以支撑基板;
温度调节构件,所述温度调节构件设置在所述支撑板中以加热或冷却所述基板;和
超声施加构件,所述超声施加构件被配置成在放置于所述多个突起上的所述基板与所述支撑板之间施加超声。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述温度调节构件是被配置成冷却所述基板的冷却构件。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置,其中,所述温度调节构件具有设置在所述支撑板中的冷却流体通道。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述温度调节构件是被配置成加热所述基板的加热构件。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述超声施加构件沿平行于所述基板的方向施加所述超声。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,所述超声施加构件设置在所述支撑板的一个侧部处。
7.一种基板处理装置,包括:
壳体;
加热单元,所述加热单元包括位于所述壳体内部以加热基板的加热板;和
传送单元,所述传送单元位于所述壳体内部以从所述加热板传送所述基板,
其中,所述传送单元包括:
传送板,所述传送板被配置为放置所述基板;
突起,所述突起从所述传送板向上突出以支撑所述基板;
冷却单元,所述冷却单元被配置为冷却被加热的所述基板;和
超声施加构件,所述超声施加构件被配置为在所述基板和所述传送板之间施加超声。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,所述冷却单元设置在所述传送板中。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置,其中,所述冷却单元是冷却流体通道。
10.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,所述超声施加构件沿平行于所述基板的方向施加超声。
11.根据权利要求7所述的基板处理装置,还包括:
驱动器,所述驱动器被配置为驱动所述传送板,
其中,所述超声施加构件设置在所述驱动器中。
12.一种传送单元,包括:
传送板,所述传送板被配置为放置所述基板;
突起,所述突起从所述传送板向上突出以支撑所述基板;
冷却单元,所述冷却单元设置在所述传送板中以冷却被加热的基板;和
超声施加构件,所述超声施加构件被配置为在所述基板和所述传送板之间施加超声。
13.根据权利要求12所述的传送单元,其中,所述冷却单元设置在所述传送板中。
14.根据权利要求12所述的传送单元,其中,所述冷却单元是冷却流体通道。
15.根据权利要求12所述的传送单元,其中,所述超声施加构件被设置为沿平行于所述基板的方向施加所述超声。
16.根据权利要求12所述的传送单元,还包括:
驱动器,所述驱动器被配置为驱动所述传送板,
其中,所述超声施加构件设置在所述驱动器中。
17.一种基板处理方法,包括:
在基板被支撑至从支撑板向上突出的突起的状态下,在加热或冷却所述基板的同时在所述基板和所述支撑板之间施加超声。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





