[发明专利]基于阶跃阻抗谐振器的同轴宽阻带带通滤波器结构

权利要求书

1.一种基于阶跃阻抗谐振器的同轴宽阻带带通滤波器结构，其特征在于整个结构全部采用同轴传输形式来实现，包括中间的滤波器主体结构(4)和左右依次成对称分布的外部耦合装置(3)、过渡转换装置(2)和标准SSMP阴性接头(1)，所述的标准SSMP阴性接头(1)由内外导体以及中间的空气介质构成；所述的过渡转换装置(2)由内外导体以及中间的PCTFE材料构成；所述的外部耦合装置由外导体、粗细突变的内导体以及中间的Teflon材料构成；所述的滤波器主体结构(4)由外导体、3个三个尺寸完全一致的高低阻抗谐振器以及中间的Teflon材料构成；在外部耦合装置(3)和滤波器主体结构(4)之间设有耦合基片，在两个高低阻抗谐振器之间设有耦合基片；所述的高低阻抗谐振器包括第二细内导体(20)和位于第二细内导体(20)两端的第二粗内导体(19)，通过调整第二细内导体(20)和第二粗内导体(19)的直径和长度来设计滤波器的尺寸以及寄生通带的位置。

2.根据权利要求1所述的一种基于阶跃阻抗谐振器的同轴宽阻带带通滤波器结构，其特征在于所述的耦合基片采用高介电常数的AL2O3材料加工而成。

3.根据权利要求1所述的一种基于阶跃阻抗谐振器的同轴宽阻带带通滤波器结构，其特征在于位于外部耦合装置(3)和滤波器主体结构(4)之间的耦合基片的厚度为0.13mm。

4.根据权利要求1所述的一种基于阶跃阻抗谐振器的同轴宽阻带带通滤波器结构，其特征在于在两端粗中间细的内导体之间的耦合基片的厚度为0.38mm。