[发明专利]气相沉积设备和气相沉积方法

权利要求书

1.一种气相沉积设备，包括：

基座，用于承载衬底；

阻挡部件，环绕所述基座设置，所述阻挡部件具有延伸到位于所述基座上的所述衬底边缘上方的阻挡边；以及

气体导流通道，布置为沿着所述衬底的边缘延伸，以向所述衬底的边缘引入惰性气体，其中所述惰性气体的气流方向与用于沉积的反应气体的方向相对。

2.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述气流导流通道包括位于所述阻挡部件内缘与所述基座外缘之间的第一通道段和位于所述阻挡边和所述衬底的边缘之间的第二通道段，所述第一通道段与所述第二通道段连通。

3.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述气流导流通道包括从底面或侧面贯穿所述阻挡部件的第一通道段和位于所述阻挡边和所述衬底的边缘之间的第二通道段，所述第一通道段与所述第二通道段连通。

4.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述阻挡部件为环形。

5.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，还包括遮蔽环，位于所述阻挡边正上方且靠近所述阻挡边。

6.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述惰性气体的的流量大于所述反应气体的流量。

7.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，所述惰性气体的的流量比所述反应气体的流量大50-100sccm。

8.如权利要求1所述的气相沉积设备，其特征在于，还包括：

气体引入单元，用于从所述衬底上方朝所述衬底上供应所述反应气体，且从所述基座下方或侧方朝远离所述衬底方向供应所述惰性气体。

9.一种气相沉积方法，包括以下步骤：

向承载在基座上的衬底引入反应气体以进行气相沉积；

其中，所述基座环绕设置有阻挡部件，用于阻挡所述反应气体沉积到所述衬底边缘，其中所述阻挡部件具有延伸到位于所述衬底边缘上方的阻挡边；以及

通过沿着所述衬底的边缘延伸的气体导流通道向所述衬底的边缘引入惰性气体，所述惰性气体的气流方向与所述反应气体的方向相对。

10.如权利要求9所述的气相沉积方法，其特征在于，所述惰性气体的的流量大于所述反应气体的流量。

11.如权利要求9所述的气相沉积方法，其特征在于，所述惰性气体的的流量比所述反应气体的流量大50-100sccm。

12.如权利要求9所述的气相沉积方法，其特征在于，从所述衬底上方供应所述反应气体，且从所述基座下方或侧方供应所述惰性气体。