[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202011230491.0 | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112820756A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 李现范;丁进焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京金宏来专利代理事务所(特殊普通合伙) 11641 | 代理人: | 李晓伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
显示元件层;
阻光图案层,所述阻光图案层布置在所述显示元件层上;以及
输入感测层,所述输入感测层布置在所述阻光图案层上并且包括多个感测电极,
其中,所述显示元件层包括:
多个像素限定膜,所述多个像素限定膜彼此间隔开;
突起,所述突起布置在所述多个像素限定膜中的至少一个上;
多个发光元件,所述多个发光元件设置在所述多个像素限定膜之间;以及
封装层,所述封装层布置在所述多个发光元件上,
其中,所述阻光图案层包括:
多个阻光部,所述多个阻光部与所述多个像素限定膜重叠,以及
开口,所述开口形成在与所述突起重叠的所述多个阻光部中的至少一个中,以及
其中,所述多个感测电极中的每个包括:
第一图案线,所述第一图案线在第一方向上延伸;
第二图案线,所述第二图案线在与所述第一方向相交的第二方向上延伸;以及
所述第一图案线和所述第二图案线彼此相交的交点,并且
其中,所述突起、所述开口和所述交点重叠。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,在与所述显示元件层和所述阻光图案层的堆叠方向平行的剖面中,作为所述像素限定膜的最大宽度的第一宽度等于所述开口的第二宽度。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中,在所述剖面中,所述交点的第三宽度小于所述第一宽度和所述第二宽度中的每个。
4.如权利要求1所述的显示装置,其中,布置有所述突起的所述像素限定膜的不与所述突起重叠的一侧的曝光宽度在7μm至8μm的范围内。
5.如权利要求1所述的显示装置,其中,在与所述显示元件层和所述阻光图案层的堆叠方向平行的剖面中,所述突起的最大高度H2与所述像素限定膜的最大高度H1之比满足以下表达式:
0.3≤H2/H1≤1。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个感测电极中的每个包括:
第一交点,所述第一交点与所述突起重叠;以及
第二交点,所述第二交点与所述像素限定膜重叠但不与所述突起重叠。
7.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述突起与所述第一交点之间的最短距离D1和所述像素限定膜与所述第二交点之间的最短距离D2之比满足以下表达式:
0.8≤D1/D21。
8.如权利要求6所述的显示装置,其中,所述多个感测电极中的每个包括在一方向上彼此相邻地布置的多个所述第一交点和多个所述第二交点,并且
所述多个第二交点中的两个至四个布置在最接近的第一交点之间。
9.如权利要求1所述的显示装置,包括:
发光区和围绕所述发光区的非发光区,其中,在平面中,所述突起相对于全部的所述发光区的总面积的面积比在1%至2%的范围内。
10.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述突起包括:
与所述像素限定膜相邻的下表面;以及
面对所述下表面的上表面,并且
在与所述上表面平行的平面中,所述上表面具有多边形形状,其中,所述多边形形状具有长度在10μm至30μm的范围内的边。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的