[发明专利]一种太阳能电池的空穴传输层材料、锑基太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种锑基太阳能电池，包括依次设置的透明导电衬底、电子传输层、无机光吸收层、空穴传输层和金属电极层；

所述空穴传输层为2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌掺杂的2,9,16,23-四-叔丁基-29H,31H-酞菁铜(II)；

所述2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌的掺杂量为0.005～0.5wt％。

2.根据权利要求1所述的锑基太阳能电池，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为50～80nm。

3.根据权利要求1所述的锑基太阳能电池，其特征在于，所述锑基太阳能电池为硫化锑太阳能电池、硒化锑太阳能电池或硫硒化锑太阳能电池。

4.一种权利要求1～3任一项所述锑基太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：

在清洁的透明导电衬底上依次沉积电子传输层，沉积光吸收层，旋涂空穴传输层，再沉积金属电极层，热处理，得到锑基太阳能电池。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述热处理的温度为80～90℃，热处理的时间为2～100h。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述旋涂空穴传输层采用的旋涂液包括F₄-TCNQ溶液和Tert-Butyl CuPc溶液；

所述F₄-TCNQ溶液的浓度为0.4～0.6mg/mL；

所述Tert-Butyl CuPc溶液的浓度为10～30g/mL。