[发明专利]半导体设备封装和其制造方法在审

申请号：	202011229549.X	申请日：	2020-11-06
公开（公告）号：	CN113451229A	公开（公告）日：	2021-09-28
发明（设计）人：	黄文宏	申请（专利权）人：	日月光半导体制造股份有限公司
主分类号：	H01L23/31	分类号：	H01L23/31;H01L23/498;H01L23/48;H01L21/48;H01Q1/22
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	蕭輔寬
地址：	中国台湾高雄市楠梓***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体设备封装制造方法
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【说明书】：

本公开提供了一种半导体设备封装。所述半导体设备封装包含天线层、第一电路层和第二电路层。所述天线层具有第一热膨胀系数CTE。所述第一电路层安置在所述天线层之上。所述第一电路层具有第二CTE。所述第二电路层安置在所述天线层之上。所述第二电路层具有第三CTE。所述第一CTE与所述第二CTE之间的差值小于所述第一CTE与所述第三CTE之间的差值。

技术领域

本公开总体上涉及一种半导体设备封装和其制造方法，并且涉及一种包含天线的半导体设备封装。

背景技术

具有用于信号(例如，射频(RF)信号)发射的天线的一或多个半导体设备封装可以包含天线层和电连接到所述天线层的RF路由层。为了提高天线层的辐射效率，天线层通常具有介电常数(Dk)和损耗角正切或耗散因子(Df)相对较低的衬底，所述衬底与RF路由层的衬底不同。这种不平衡的结构将在制造工艺期间引起翘曲问题，所述翘曲问题可能导致半导体设备封装的故障。

发明内容

在一或多个实施例中，一种半导体设备封装包含天线层、第一电路层和第二电路层。所述天线层具有第一热膨胀系数(CTE)。所述第一电路层安置在所述天线层之上。所述第一电路层具有第二CTE。所述第二电路层安置在所述天线层之上。所述第二电路层具有第三CTE。所述第一CTE与所述第二CTE之间的差值小于所述第一CTE与所述第三CTE之间的差值。

在一或多个实施例中，一种半导体设备封装包含衬底、第一电路层和第二电路层。所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面。所述第一电路层安置在所述衬底的所述第一表面上。所述第一电路层具有第一导电层和至少部分地覆盖所述第一导电层的第一介电层。所述第二电路层安置在所述衬底的所述第一表面上。所述第二电路层具有第二导电层和至少部分地覆盖所述第二导电层的第二介电层。所述第一介电层的介电常数(Dk)小于所述第二介电层的Dk。

在一或多个实施例中，一种制造半导体设备封装的方法包含：(a)提供天线衬底，所述天线衬底具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；(b)在所述衬底的所述第一表面上连接第一电路层；(c)在所述衬底的所述第一表面上连接第二电路层；以及(d)形成封装体，以覆盖所述第一电路层和所述第二电路层，其中所述封装体进一步在所述第一电路层与所述第二层之间延伸。

附图说明

当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的各方面。应当注意的是，各种特征可能不一定按比例绘制。为了讨论的清楚起见，可以任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。

图1B展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图1C展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图1D展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图2A展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。

图2B展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图2C展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图2D展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的俯视图。

图2E展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。

图3展示了根据本公开的一些实施例的半导体设备封装的横截面视图。