[发明专利]近红外荧光粉及其制备方法、发光装置

权利要求书

1.一种近红外荧光粉，其特征在于，所述近红外荧光粉的化学通式为A_1-yMgM_10-x-zR_xO_17-xN_x:yEu²⁺,zCr³⁺；其中，R位为Si、Ge、Sn中的一种，0≤y≤0.05，0x≤3，0.01≤z≤0.1；

其中，所述A位为Ba和Sr；

所述A位Ba和Sr的元素比为(1~2)：1；

所述M位为Al和Ga；

所述M位Al和Ga的元素比为(5~7)：1。

2.如权利要求1所述的近红外荧光粉，其特征在于，所述近红外荧光粉的最佳激发波长位于400~440nm之间，发射峰峰值波长位于700nm~730nm之间。

3.如权利要求1或2所述的近红外荧光粉，其特征在于，

所述R位为Si或Ge。

4.如权利要求3所述的近红外荧光粉，其特征在于，

所述R位为Si。

5.如权利要求4所述的近红外荧光粉，其特征在于，0.02≤y≤0.04，1≤x≤3，0.03≤z≤0.08。

6.如权利要求5所述的近红外荧光粉，其特征在于，0.03≤y≤0.04，2≤x≤3，0.04≤z≤0.06。

7.如权利要求5所述的近红外荧光粉，其特征在于，y=0.035，2≤x≤3，z=0.05。

8.一种如权利要求1~7任一所述的近红外荧光粉的制备方法，其特征在于，包括步骤：

按所述近红外荧光粉中各元素比例，将A的前驱体、Mg的前驱体、M的前驱体和Eu的前驱体混合后，进行第一次烧结处理，得到中间体；

将所述中间体破碎后与R的前驱体和Cr的前驱体混合，进行第二次烧结处理，破碎得到近红外荧光粉。

9.如权利要求8所述的近红外荧光粉的制备方法，其特征在于，所述第一次烧结处理的条件包括：在温度为1200℃~1600℃，含有氢气的混合气氛下，烧结4~6h；

所述第二次烧结处理的条件包括：在温度为1500℃~1800℃，含有氢气的混合气氛下，烧结4~6h；

和/或，所述近红外荧光粉的粒径为12~17微米；

和/或，所述A的前驱体选自A的氧化物；

和/或，所述Mg的前驱体选自Mg的氧化物；

和/或，所述M的前驱体选自M的氧化物；

和/或，所述Eu的前驱体选自Eu的氧化物；

和/或，所述R的前驱体选自R的氮化物；

和/或，所述Cr的前驱体选自Cr的氧化物、Cr的氮化物、Cr的氟化物中的至少一种。

10.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括如权利要求1~7任一所述的近红外荧光粉，或者包含如权利要求8~9任一所述制备方法制得的近红外荧光粉。