[发明专利]显示装置及电子设备在审
申请号: | 202011229232.6 | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112271205A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 易楚君;陈涛 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 杨艇要 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 电子设备 | ||
本申请提供一种显示装置及电子设备,显示装置具有显示透光区和过渡显示区,过渡显示区位于显示透光区的外围,显示装置包括:多个发光器件,设置于显示透光区;多个像素驱动电路,设置于过渡显示区,每个像素驱动电路包括:驱动晶体管,驱动晶体管包括栅极;以及栅极引线,栅极引线位于驱动晶体管的上方,栅极引线与驱动晶体管的栅极电性连接;至少一个透明导电层,至少一个透明导电层位于多个像素驱动电路的上方,至少一个透明导电层包括多条透明导线,多条透明导线电性连接多个发光器件和部分像素驱动电路;以及屏蔽层,屏蔽层位于多条栅极引线和至少一个透明导电层之间,且对应多条栅极引线设置。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置及电子设备。
背景技术
目前,在有机发光二极管(Active Metrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)显示面板设计中,采用屏下摄像头区域进行显示已是大势所趋。其中,利用透明导线与屏下摄像头区域的像素电性连接,以提高屏下摄像头区的透光率,从而实现屏下摄像头区透明显示是常用的方案。然而,由于透明导线在经过像素驱动电路的驱动晶体管的栅极引线时,会与栅极引线之间形成寄生电容,由于透明导线分布不均,导致透明导线与栅极引线之间的寄生电容存在差异,寄生电容差异导致像素驱动电路驱动对应的像素也存在显示差异,导致有机发光二极管显示面板出现显示亮度明暗不均(Mura)的问题。
因此,有必要提出一种技术方案以解决透明导线与栅极引线之间的寄生电容差异导致显示明暗不均的问题。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示装置及电子设备,以改善透明导线与栅极引线之间的寄生电容差异导致显示明暗不均的问题。
一种显示装置,所述显示装置具有显示透光区和过渡显示区,所述过渡显示区位于所述显示透光区的外围,所述显示装置包括:
多个发光器件,设置于所述显示透光区;
多个像素驱动电路,设置于所述过渡显示区,每个所述像素驱动电路包括:
驱动晶体管,所述驱动晶体管包括栅极;以及
栅极引线,所述栅极引线位于所述驱动晶体管的上方,所述栅极引线与所述驱动晶体管的所述栅极电性连接;
至少一个透明导电层,至少一个所述透明导电层位于多个所述像素驱动电路的上方,至少一个所述透明导电层包括多条透明导线,多条所述透明导线电性连接多个所述发光器件和部分所述像素驱动电路;以及
屏蔽层,所述屏蔽层位于多条所述栅极引线和至少一个所述透明导电层之间,且对应多条所述栅极引线设置。
在上述显示装置中,在所述显示装置的厚度方向上,多条所述栅极引线在所述显示装置的基板上的正投影位于所述屏蔽层在所述显示装置的所述基板上的正投影的内部。
在上述显示装置中,所述显示装置还包括用于传输直流电压信号的金属网格,所述金属网格与所述屏蔽层同层设置,设置于所述过渡显示区且位于多个所述像素驱动电路上方的所述金属网格延伸出所述屏蔽层。
在上述显示装置中,所述显示装置还包括多条直流电源信号线,多条所述直流电源信号线与多条所述栅极引线同层设置,所述金属网格与多条所述直流电源信号线电性连接。
在上述显示装置中,所述显示装置还具有主显示区,所述过渡显示区位于所述主显示区和所述显示透光区之间,多条所述直流电源信号线与所述金属网格之间设置有绝缘层,所述绝缘层对应所述主显示区的部分设置有过孔,所述金属网格与多条所述直流电源信号线通过所述过孔电性连接。
在上述显示装置中,所述直流电压信号选自初始化信号或直流电源信号中的一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的