[发明专利]一种新型阻容复合芯片及其制造方法

说明书

本发明公开了一种新型阻容复合芯片及其制造方法，涉及半导体技术领域，包括电阻芯片、电容芯片、两根引线，以及用于包覆电阻芯片和电容芯片的保护层；电阻芯片与电容芯片并联连接，两根引线平行设置，并分别与电阻芯片两面的电极连接，保护层为聚氨酯丙烯酸酯大分子单体经过聚合、交联、固化而成，保护层内分散有碳纳米管，碳纳米管内填充有氧化铁。本发明能够有效防止电压突变，吸收尖峰状态的过电压，避免与其并联的器件造成损坏。此外，聚氨酯丙烯酸酯大分子单体加工成的保护层透明度好，拉伸强度、冲击强度、硬度等机械性能强，热变形温度高，不易破碎，较玻璃防护层更加安全耐用、较二氧化硅保护层对光的穿透性更高。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种新型阻容复合芯片及其制造方法。

背景技术

现有电阻产品为独立单一的元器件，其现有的制造工艺通常为：将电阻芯片与引线放入锡炉中进行焊接加工然后包封测试。这样制备的电阻产品缺乏过电压保护的能力，在使用过程中若遇到电压突变或者电压倒灌的现象时容易损坏从而影响电路正常工作。此外，现有的电阻产品的保护层大都采用玻璃制品或者一层较厚的二氧化硅作为保护层，二氧化硅作为保护层抗损伤性和致密性较低，容易出现空洞不能很好的起到保护作用；且二氧化硅对光的穿透率相对较差，二氧化硅折射率与透明导电层氧化铟锡的折射率匹配得不好，容易导致全反射现象，降低出光效率。而玻璃防护层受到挤压时容易破碎，且不具备抗电磁辐射的功能，且散热功能差。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的是提供一种新型阻容复合芯片及其制造方法，以防止电阻芯片电压突变，吸收尖峰状态的过电压，避免与其并联的器件造成损坏，并形成一层透明度好，拉伸强度，损耗电磁辐射，冲击强度、硬度等机械性能强的保护层。

本发明通过以下技术手段解决上述技术问题：

一种新型阻容复合芯片，包括电阻芯片、电容芯片、两根引线，以及用于包覆电阻芯片和电容芯片的保护层；电阻芯片与电容芯片并联连接，两根引线平行设置，并分别与电阻芯片两面的电极连接，保护层为聚氨酯丙烯酸酯大分子单体经过聚合、交联、固化而成，保护层内分散有碳纳米管，碳纳米管内填充有氧化铁。通过设置一与电阻芯片并联的电容芯片，有效防止电压突变，能够吸收尖峰状态的过电压，避免与其并联的器件造成损坏。此外，聚氨酯丙烯酸酯大分子单体加工成的保护层透明度好，拉伸强度、冲击强度、硬度等机械性能强，热变形温度高，不易破碎，较玻璃防护层更加安全耐用、较二氧化硅保护层对光的穿透性更高。且通过碳纳米管和氧化铁的共同作用，能够对芯片产生的电磁辐射进行反射损耗和吸收损耗，阻碍表面能传递，使电磁辐射的能量转化成热能，以降低电磁辐射的能量。

进一步，聚氨酯丙烯酸酯大分子单体包括以下重量份数的原料：

二氯甲烷15～20份、四氢呋喃9～12份、环氧环己烷12～16份、三氟化硼乙醚0.18～0.25份、乙二醇0.05～0.12份、异佛尔酮二异氰酸酯60～70份、二月桂酸二丁基锡0.15～0.20份、甲基丙烯酸-β-羟乙酯35～40份、偶氮二异丁腈0.7～1.0份；其制备方法如下：

1)分别取二氯甲烷和四氢呋喃混合均匀，加入三氟化硼乙醚和乙二醇，然后于0℃的恒温水浴锅中搅拌20～30min，取环氧环己烷加入恒温滴液漏斗中进行滴加，滴加完成后于0℃下充分反应3～5h，然后加入四氢呋喃2倍体积的去离子水，继续搅拌5min，静置分层，分液除去去离子水，再通过减压蒸馏除去未反应原料、溶剂和少量的水，得到无色透明粘稠液体的环氧环己烷-四氢吠喃共聚醚；

2)取异佛尔酮二异氰酸酯和1)中得到的环氧环己烷-四氢吠喃共聚醚混合均匀，在氮气保护下再加入二月桂酸二丁基锡作为催化剂，于90℃下搅拌反应50min，然后加入甲基丙烯酸-β-羟乙酯，于75℃下反应40min，而后降温至40～45℃，加入偶氮二异丁腈作为引发剂，待其全部溶解后，真空干燥处理，得到聚氨酯丙烯酸酯大分子单体。