[发明专利]一种承载装置及半导体反应腔室有效
| 申请号: | 202011224676.0 | 申请日: | 2020-11-05 |
| 公开(公告)号: | CN112397366B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
| 发明(设计)人: | 许金基;茅兴飞 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/21 | 分类号: | H01J37/21;H01J37/20;H01J37/305;H01J37/32;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 承载 装置 半导体 反应 | ||
1.一种承载装置,用于半导体反应腔室(100)承载待加工件(600),其特征在于,包括:
静电卡盘(210),所述静电卡盘(210)设置于所述半导体反应腔室(100)内,且用于承载所述待加工件(600);
聚焦环组件(220),所述聚焦环组件(220)包括:上聚焦环(221)和下聚焦环(222),所述下聚焦环(222)环设于所述静电卡盘(210)的外侧;所述下聚焦环(222)的上表面设有凹槽(223),所述上聚焦环(221)以位置可升降的方式设置于所述凹槽(223)内;
所述下聚焦环(222)的上表面靠近所述静电卡盘(210)的一端为支撑面,所述支撑面和所述静电卡盘(210)的上表面平齐,并用于共同支撑所述待加工件(600);所述上聚焦环(221)的上表面位置高于所述支撑面,且所述上聚焦环(221)的内环壁的直径大于所述待加工件(600)的直径;
所述上聚焦环(221)的下表面设有限位槽(2211),所述限位槽(2211)对应所述凹槽(223)设置;
聚焦环顶针(300),所述聚焦环顶针(300)贯穿所述凹槽(223)的底壁并与所述限位槽(2211)配合,在垂直于所述聚焦环顶针(300)的移动方向上,所述聚焦环顶针(300)与所述限位槽(2211)实现限位;
驱动装置(400),所述驱动装置(400)用于驱动所述聚焦环顶针(300)升降所述上聚焦环(221);
所述驱动装置(400)包括第一驱动源(410)、第一固定支架(420)、第一转接件(430)、第一滑轨组件(441)和第二滑轨组件(442),所述第一驱动源(410)的驱动端与所述第一转接件(430)的一端相连接,所述第一转接件(430)另一端与所述聚焦环顶针(300)相连接;所述第一固定支架(420)与所述第一驱动源(410)的固定端连接,所述第一固定支架(420)具有第一安装面和第二安装面,所述第一安装面和所述第二安装面均平行所述聚焦环顶针(300)的移动方向,且所述第一安装面和所述第二安装面相垂直;
所述第一滑轨组件(441)和所述第二滑轨组件(442)均沿所述聚焦环顶针(300)的移动方向滑动连接所述第一固定支架(420)和所述第一转接件(430),且所述第一滑轨组件(441)和所述第二滑轨组件(442)分别设置于所述第一安装面和第二安装面上。
2.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述下聚焦环(222)包括:内聚焦环(2221)和外聚焦环(2222),所述外聚焦环(2222)环设于所述内聚焦环(2221)外;
所述内聚焦环(2221)和所述外聚焦环(2222)的配合面上形成所述凹槽(223),所述内聚焦环(2221)的上表面形成所述支撑面。
3.根据权利要求2所述的承载装置,其特征在于,所述内聚焦环(2221)的外侧壁上设有第一开口槽(2231),所述外聚焦环(2222)的内侧壁上设有第二开口槽(2232),所述第一开口槽(2231)和所述第二开口槽(2232)围成所述凹槽(223)。
4.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述限位槽(2211)为环形凹槽,且所述环形凹槽和所述上聚焦环(221)同心设置。
5.根据权利要求4所述的承载装置,其特征在于,所述聚焦环顶针(300)与所述环形凹槽配合的端面为弧形面。
6.根据权利要求1所述的承载装置,其特征在于,所述凹槽(223)的外环壁为阶梯面,所述上聚焦环(221)设有所述阶梯面适配的阶梯凸台。
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