[发明专利]一种12英寸硅片包装工艺

说明书

本发明提供一种12英寸硅片包装工艺，包括S1：将12英寸硅片装入片盒中，再将片盒装入内包装袋中；S2：通过真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，设置真空压强为55kpa‑65kpa；S3：在所述内包装袋封口处进行热封；S4：将热封后的所述内包装袋封口处进行冷却；S5：用胶带固定所述内包装袋封口；S6：将冷却好的所述内包装袋装入外包装袋中，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为55kpa‑65kpa；所述外包装袋封口处进行热封；将热封好的所述外包装袋进行冷却；用胶带固定所述外包装袋封口。本发明的有益效果是解决了在运输过程中会因碰撞摩擦导致包装袋破损，密封性差，导致运输过程中硅片表面颗粒增长量高、表面金属含量高的问题，提高硅片的质量。

技术领域

本发明属于半导体材料制造领域，尤其是涉及一种12英寸硅片包装工艺。

背景技术

随着集成电路产业的发展，硅片的尺寸不断增大，硅片产品的成本越来越高，这对硅片的运输和包装要求也越来越高。由于12英寸硅片片盒结构与8英寸及以下尺寸包装片盒结构的不同，且体积更大，以往的包装工艺并不适用于12英寸硅片产品的包装。用8英寸及以下尺寸的包装工艺参数来进行对12英寸硅片的包装，在运输过程中会因碰撞摩擦导致包装袋破损，包装袋破损后，密封性差，导致运输过程中硅片表面颗粒增长量高、表面金属含量高。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种12英寸硅片包装工艺，有效的解决在运输过程中会因碰撞摩擦导致包装袋破损，包装袋破损后，密封性差，导致运输过程中硅片表面颗粒增长量高、表面金属含量高。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：一种12英寸硅片包装工艺，其特征在于，包括：S1：将12英寸硅片装入片盒中，再将片盒装入内包装袋中；S2：通过真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，设置真空压强为55kpa-65kpa；S3：在所述内包装袋封口处进行热封；S4：将热封后的所述内包装袋封口处进行冷却；S5：用胶带固定所述内包装袋封口；S6：将冷却好的所述内包装袋装入外包装袋中，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为55kpa-65kpa；所述外包装袋封口处进行热封；将热封好的所述外包装袋进行冷却；用胶带固定所述外包装袋封口。

优选地，所述步骤S2中，所述真空包装装置抽取所述内包装袋内的气体，所述真空压强为60kpa。

优选地，所述步骤S3中，在所述内包装袋封口处进行热封时，设置热封温度为140℃-160℃。

优选地，所述热封温度为150℃。

优选地，所述步骤S3中，在所述内包装袋封口处进行热封时，设置热封时间为0.4s-0.6s。

优选地，所述热封时间为0.5s。

优选地，所述步骤S4中，所述内包装袋冷却时，设置冷却温度为45℃-55℃。

优选地，所述冷却时间为50℃。

优选地，所述步骤S6中，将冷却好的所述内包装袋装入外包装袋中，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为55kpa-65kpa；所述外包装袋封口处进行热封，设置热封温度为140℃-160℃，设置热封时间为0.4s-0.6s；将热封好的所述外包装袋进行冷却，设置冷却温度为45℃-55℃；用胶带固定所述外包装袋封口。

优选地，通过所述真空包装装置抽取外包装袋内的气体，真空压强为60kpa；所述外包装袋封口处进行热封，设置热封温度为150℃，设置热封时间为0.5s；将热封好的所述外包装袋进行冷却，设置冷却温度为50℃。

由于12英寸硅片包装工艺中参数的重新设置，解决了在运输过程中会因碰撞摩擦导致包装袋破损，包装袋破损后，密封性差，导致运输过程中硅片表面颗粒增长量高、表面金属含量高的问题，提高硅片的质量。

附图说明