[发明专利]一种封装芯片的测试方法

说明书

本申请实施例公开了一种封装芯片的测试方法，所述方法包括：提供待测试的封装芯片；确定所述封装芯片中的目标区域；所述目标区域内具有目标线路结构；去除位于目标区域上的封装材料，以形成暴露所述目标线路结构的开口；在所述开口内填充导电材料，以形成与所述目标线路结构导电连接的测试电极。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种封装芯片的测试方法。

背景技术

随着集成电路技术的不断发展，封装芯片的尺寸不断减小和性能不断提升，封装芯片的结构也变得越来越复杂。在这种情况下，封装芯片出现功能异常或失效的概率也越来越大。在封装芯片的研发或者制造阶段，如果封装芯片出现功能异常或失效，需要对封装芯片进行线路修补(circuit edit)，从而露出封装芯片中的目标结构，对露出的目标结构进行分析和测试。然而芯片封装完成后分析和测试过程中容易对已封装的芯片的基板等功能结构造成损伤。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种封装芯片的测试方法。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

本申请实施例提供一种封装芯片的测试方法，所述方法包括：

提供待测试的封装芯片；

确定所述封装芯片中的目标区域；所述目标区域内具有目标线路结构；

去除位于目标区域上的封装材料，以形成暴露所述目标线路结构的开口；

在所述开口内填充导电材料，以形成与所述目标线路结构导电连接的测试电极。

在一种可选的实施方式中，所述测试电极的裸露面为第一面，所述测试电极与所述目标线路结构的接触面为第二面；

所述第一面与所述第二面的面积的比值大于等于5。

在一种可选的实施方式中，所述去除位于目标区域上的封装材料，以形成暴露所述目标线路结构的开口，包括：

去除位于第一目标区域上的外部封装材料，以形成暴露内部封装材料的第一开口；

在所述第一开口内去除第二目标区域上的内部封装材料，以形成暴露所述目标线路结构的第二开口；所述第一开口和所述第二开口共同构成所述开口；

其中，所述第二目标区域位于所述第一目标区域内，所述第二目标区域内具有所述目标线路结构。

在一种可选的实施方式中，所述去除位于第一目标区域上的外部封装材料的步骤采用自动研磨工艺执行。

在一种可选的实施方式中，所述去除第二目标区域上的内部封装材料的步骤采用聚焦离子束工艺执行。

在一种可选的实施方式中，所述外部封装材料包括塑封层材料；

所述内部封装材料包括聚酰亚胺层材料和钝化层材料。

在一种可选的实施方式中，所述在所述开口内填充导电材料，以形成与所述目标线路结构导电连接的测试电极，包括：

在所述开口内填充导电胶；

固化所述导电胶，以形成与所述目标线路结构导电连接的测试电极。

在一种可选的实施方式中，所述在所述开口内填充导电材料之后，所述方法还包括：

通过测试探针接触所述测试电极，以对所述目标线路结构进行检测。

在一种可选的实施方式中，所述目标线路结构为所述封装芯片的顶层金属层的至少一部分。

在一种可选的实施方式中，所述确定所述封装芯片中的目标区域，包括：